[發明專利]一種非米晶、納米晶鐵芯的高頻變壓器阻抗設計方法

在審

• 申請號: 201710310540.3
• 申請日: 2017-05-05
• 公開（公告）號: CN106991256A
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 趙景輝;張永江;寧秋平
• 申請（專利權）人: 趙景輝;張永江;寧秋平
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 沈陽銘揚聯創知識產權代理事務所(普通合伙)21241
• 代理人: 屈芳

1.一種非米晶、納米晶鐵芯的高頻變壓器阻抗設計方法，其特征在于，該方法包括：

設置非米晶、納米晶鐵芯的高頻變壓器的等效電路：

高頻變壓器的初級側與輸入交流高頻電壓源V1串聯有初級漏磁電感L11后并聯一初級分布電容C1，在高頻變壓器的初級側并聯初級勵磁電感Lm，在高頻變壓器的次級側串聯一次級短路從初級檢測電感L12后并聯次級分布電容C2，次級分布電容C2并聯次級負載電阻Rf，在負載電阻Rf與初級分布電容C1之間連接初、次級分布電容；

設置非米晶、納米晶鐵芯的高頻變壓器的等效計算電路：

輸入交流高頻電壓源V1并聯折算負載電阻Rz后串聯折算電感L1，再與折算分布電容Cs并聯后輸出次級輸出電壓V2；

根據設置的高頻變壓器的等效電路與高頻變壓器的等效計算電路計算變壓器阻抗與勵磁電流。

2.按照權利要求1所述的非米晶、納米晶鐵芯的高頻變壓器阻抗設計方法，其特征在于，按照以下的公式計算折算分布電容Cs、折算電感L1、以及折算負載電阻Rz，Cs＝C1+(1-n)*C12+n*n*C2+n*(n+1)*C12 (1)；

Ls＝L11+L12/n*n (2)；

L1＝Ls+Lm(3)；

Rz＝n*n*Rf(4)

其中n表示高頻變壓器的變比。

3.按照權利要求2所述的非米晶、納米晶鐵芯的高頻變壓器阻抗設計方法，其特征在于，高頻變壓器的總勵磁電流I為：I＝(I1*I1+I2*I2)^0.5，其中，I1＝V1/Rz，為折算負載電阻Rz支路的電流，I2＝V1/((2*π*f*L1-1/(2*π*f*Cs))，為折算電感L1、折算分布電容Cs支路的電流，其中f為工作頻率。

4.按照權利要求2所述的非米晶、納米晶鐵芯的高頻變壓器阻抗設計方法，其特征在于，高頻變壓器的感抗Rl＝2*π*f*L1，其中f為工作頻率。

5.按照權利要求2所述的非米晶、納米晶鐵芯的高頻變壓器阻抗設計方法，其特征在于，高頻變壓器的容抗Rc＝1/(2*π*f*Cs)，其中f為工作頻率。

6.按照權利要求2所述的非米晶、納米晶鐵芯的高頻變壓器阻抗設計方法，其特征在于，電感與電容串聯阻抗為Rlc＝2*π*f*L1-1/(2*π*f*Cs)，其中f為工作頻率。