[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710309534.6
• 申請日: 2017-05-04
• 公開（公告）號: CN106935657B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王國英;宋振
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10
• 代理公司: 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示裝置，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。該薄膜晶體管包括第一有源層、源極、漏極、柵極和第二有源層，其中，源極、漏極和柵極間隔設(shè)置在第一有源層上，柵極位于源極和漏極之間，第二有源層設(shè)置在柵極、源極和漏極上，源極和漏極均與第一有源層和第二有源層連接，柵極分別與第一有源層、第二有源層、源極和漏極絕緣，在柵極上施加電壓時(shí)，源極和漏極可以通過第一有源層導(dǎo)通，源極和漏極還可以通過第二有源層導(dǎo)通，由于源極和漏極在薄膜晶體管導(dǎo)通時(shí)，可以同時(shí)通過第一有源層和第二有源層導(dǎo)通，因此源極和漏極之間可以流通更大的電流，從而可以增大薄膜晶體管的開態(tài)電流。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

目前常見的顯示裝置包括被動(dòng)發(fā)光顯示裝置(如液晶顯示裝置)和主動(dòng)發(fā)光顯示裝置(如OLED(Organic Light Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示裝置)兩大類，由于主動(dòng)發(fā)光顯示裝置不需要設(shè)置背光板，相比被動(dòng)發(fā)光顯示裝置具有厚度小，功耗低，響應(yīng)速度快等優(yōu)勢，因此主動(dòng)發(fā)光顯示裝置具有更大的市場競爭力。

OLED顯示裝置包括多個(gè)OLED，每一個(gè)OLED都與一個(gè)薄膜晶體管連接，通過控制薄膜晶體管的通斷可以控制OLED的點(diǎn)亮和熄滅，通過調(diào)節(jié)薄膜晶體管的開態(tài)電流(即薄膜晶體管正向?qū)〞r(shí)的電流)的大小，可以實(shí)現(xiàn)OLED的亮度調(diào)節(jié)。

為了可以得到更大的開態(tài)電流，現(xiàn)有的薄膜晶體管通常會增大有源層的面積，這導(dǎo)致薄膜晶體管的體積較大，而薄膜晶體管體積越大，遮擋的光越多，會導(dǎo)致顯示裝置的開口率降低，從而影響到顯示裝置的亮度。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決如何在不增大薄膜晶體管的體積的同時(shí)提高薄膜晶體管的開態(tài)電流的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示裝置。所述技術(shù)方案如下：

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括第一有源層、源極、漏極、柵極和第二有源層，其中，所述源極、所述漏極和所述柵極間隔設(shè)置在所述第一有源層上，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間，所述第二有源層設(shè)置在所述柵極、所述源極和所述漏極上，所述源極和所述漏極均與所述第一有源層和所述第二有源層連接，所述柵極分別與所述第一有源層、所述第二有源層、所述源極和所述漏極絕緣。

優(yōu)選地，所述薄膜晶體管還包括絕緣層，所述絕緣層包裹在所述柵極外。

優(yōu)選地，所述絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層設(shè)置在所述第一有源層上，且所述第一柵極絕緣層位于所述源極和所述漏極之間，所述第一柵極絕緣層上設(shè)置有凹槽，所述柵極設(shè)置在所述凹槽中，所述第二柵極絕緣層設(shè)置在所述柵極上，所述第二有源層設(shè)置在所述源極和所述漏極之間。

可選地，所述第二有源層與所述第一有源層相連接。

可選地，所述第一有源層由硅基材料或氧化鋅基材料制成，所述第二有源層由硅基材料或氧化鋅基材料制成。

優(yōu)選地，所述第一有源層的厚度為30nm～70nm，所述第二有源層的厚度為30nm～70nm。

另一方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制造方法，所述制造方法包括：

在襯底基板上形成第一有源層、源極、漏極和柵極，所述源極、所述漏極和所述柵極間隔設(shè)置在所述第一有源層上，且在平行于所述襯底基板的方向上，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間；

在所述柵極、所述源極和所述漏極上形成第二有源層；

其中，所述源極和所述漏極均與所述第一有源層和所述第二有源層連接，所述柵極分別與所述第一有源層、所述第二有源層、所述源極和所述漏極絕緣。

優(yōu)選地，所述在襯底基板上形成第一有源層、源極、漏極和柵極，包括：