[發明專利]一種薄膜晶體管及其制造方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710309534.6
• 申請日: 2017-05-04
• 公開（公告）號: CN106935657B
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 王國英;宋振
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 滕一斌

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括第一有源層、源極、漏極、柵極和第二有源層，其中，所述源極、所述漏極和所述柵極間隔設置在所述第一有源層上，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間，所述第二有源層設置在所述柵極、所述源極和所述漏極上，所述源極和所述漏極均與所述第一有源層和所述第二有源層連接，所述柵極分別與所述第一有源層、所述第二有源層、所述源極和所述漏極絕緣，所述第二有源層與所述第一有源層直接連接，將所述源極和所述漏極包裹在所述第一有源層和所述第二有源層中。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括絕緣層，所述絕緣層包裹在所述柵極外。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述絕緣層包括第一柵極絕緣層和第二柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層設置在所述第一有源層上，且所述第一柵極絕緣層位于所述源極和所述漏極之間，所述第一柵極絕緣層上設置有凹槽，所述柵極設置在所述凹槽中，所述第二柵極絕緣層設置在所述柵極上，所述第二有源層設置在所述源極和所述漏極之間。

4.根據權利要求1～3任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一有源層由硅基材料或氧化鋅基材料制成，所述第二有源層由硅基材料或氧化鋅基材料制成。

5.根據權利要求1～3任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一有源層的厚度為30nm～70nm，所述第二有源層的厚度為30nm～70nm。

6.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

在襯底基板上形成第一有源層、源極、漏極和柵極，所述源極、所述漏極和所述柵極間隔設置在所述第一有源層上，且在平行于所述襯底基板的方向上，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間；

在所述柵極、所述源極和所述漏極上形成第二有源層；

其中，所述源極和所述漏極均與所述第一有源層和所述第二有源層連接，所述柵極分別與所述第一有源層、所述第二有源層、所述源極和所述漏極絕緣，

所述第二有源層與所述第一有源層直接連接，將所述源極和所述漏極包裹在所述第一有源層和所述第二有源層中。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成第一有源層、源極、漏極和柵極，包括：

在所述襯底基板上依次形成所述第一有源層和源漏金屬層，在所述源漏金屬層上形成凹槽，所述凹槽的深度小于所述源漏金屬層的厚度；

對所述凹槽的槽底和側壁進行氧化處理，以形成所述源極、所述漏極和第一柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層隔開所述源極和所述漏極；

在所述凹槽內形成所述柵極；

在所述柵極上形成第二柵極絕緣層，所述第二柵極絕緣層位于所述源極和所述漏極之間。

8.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成第一有源層、源極、漏極和柵極，包括：

在所述襯底基板上依次形成所述第一有源層和第一柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層位于所述第一有源層上且所述第一柵極絕緣層上開設有凹槽；

在所述第一有源層和所述第一柵極絕緣層上形成電極材料膜層；

對所述電極材料膜層進行圖形化處理，以在所述第一有源層上形成所述源極和所述漏極并在所述凹槽中形成所述柵極，在平行于所述襯底基板的方向上，所述第一柵極絕緣層位于所述源極和所述漏極之間；

在所述柵極上形成第二柵極絕緣層，所述第二柵極絕緣層位于所述源極和所述漏極之間。