[發明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板

有效

• 申請號: 201710307274.9
• 申請日: 2017-05-04
• 公開（公告）號: CN107068770B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 王國英;宋振
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 11291 北京同達信恒知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭潤湘<國際申請>=<國際公布>=<進入

本申請公開了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板，用以增強對薄膜晶體管的溝道區域的遮光效果，從而改善薄膜晶體管的光照穩定性，提高薄膜晶體管的工作穩定性。本申請實施例提供的一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：遮光層和位于所述遮光層之上的緩沖層，位于所述緩沖層之上的半導體層，所述半導體層包括三部分區域：第一導體化區域、溝道區域以及第二導體化區域，在平行于所述半導體層的方向上，所述溝道區域位于所述第一導體化區域與所述第二導體化區域之間；其中，所述緩沖層的厚度使得通過所述緩沖層入射的光，無法影響所述第一導體化區域、溝道區域和所述第二導體化區域。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板。

背景技術

頂柵結構的氧化物薄膜晶體管(TFT)柵極與源極和漏極不存在交疊區域，因而其具有較小的寄生電容(Cgs)，從而可以應用于具有高分辨率和高刷新頻率、窄邊框、低功耗的大尺寸有機發光二極管(OLED)顯示產品。但是由于氧化物TFT中的氧化物對光照敏感，在光照下TFT溝道區域的氧化物的電學特性會發生變化，對于頂柵結構的氧化物TFT而言，由于缺少了底柵對TFT的溝道區域的遮擋，TFT容易發生較大的閾值電壓(V_TH)漂移，超出了補償電路的補償范圍，造成顯示畫面出現殘像等問題，因此，在制作頂柵結構的氧化物TFT時通常在面板上制作一層遮光層進行遮光，如圖1所示，現有技術中頂柵結構的氧化物TFT結構包括：遮光層1、氧化硅層2、第一導體化區域3、溝道區域4、第二導體化區域5、柵絕緣層6、柵極7、層間絕緣層8、源極9以及漏極10。其中，圖中箭頭代表光路方向，氧化硅層作為緩沖層，光可以通過氧化硅層。現有技術中，氧化硅層整層設置并且其厚度較厚，設置遮光層只能遮擋垂直于遮光層方向入射到溝道區域的光，非垂直于遮光層方向上的光仍然可以從氧化硅層的側面入射到溝道區域，影響溝道區氧化物的電學特性。

綜上，現有技術的頂柵結構氧化物TFT，對溝道區域的遮光效果較差，TFT的工作穩定性差。

發明內容

本申請實施例提供了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板，用以增強對薄膜晶體管的溝道區域的遮光效果，從而改善薄膜晶體管的光照穩定性，提高薄膜晶體管的工作穩定性。

本申請實施例提供的一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：遮光層和位于所述遮光層之上的緩沖層，位于所述緩沖層之上的半導體層，所述半導體層包括三部分區域：第一導體化區域、溝道區域以及第二導體化區域，在平行于所述半導體層的方向上，所述溝道區域位于所述第一導體化區域與所述第二導體化區域之間；其中，所述緩沖層使得入射到所述緩沖層的光，無法影響所述第一導體化區域、溝道區域和所述第二導體化區域。

本申請實施例提供的一種薄膜晶體管，由于所述緩沖層的厚度使得入射到緩沖層的光，無法影響所述第一導體化區域、溝道區域和所述第二導體化區域，即改變所述緩沖層的厚度，從而使得入射到半導體層的光完全被遮住，從而使得光線無法通過緩沖層入射到半導體層的溝道區域，從而可以增強對薄膜晶體管溝道區域的遮光效果，提高薄膜晶體管的光照穩定性，進而可以提高薄膜晶體管的工作穩定性。

較佳地，所述遮光層的材料包括鉬鈮合金，所述緩沖層的材料包括氧化鋁。

較佳地，所述氧化鋁是鋁釹合金通過陽極氧化處理形成的。

較佳地，所述緩沖層的厚度在100nm～200nm范圍內。

較佳地，在平行于所述緩沖層的方向上，所述緩沖層的尺寸小于所述遮光層的尺寸。