[發明專利]一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板

有效

• 申請號: 201710307274.9
• 申請日: 2017-05-04
• 公開（公告）號: CN107068770B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 王國英;宋振
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786
• 代理公司: 11291 北京同達信恒知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭潤湘<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，該薄膜晶體管包括：遮光層和位于所述遮光層之上的緩沖層，位于所述緩沖層之上的半導體層，所述半導體層包括三部分區域：第一導體化區域、溝道區域以及第二導體化區域，在平行于所述半導體層的方向上，所述溝道區域位于所述第一導體化區域與所述第二導體化區域之間；其中，所述緩沖層使得入射到所述緩沖層的光，無法影響所述第一導體化區域、溝道區域和所述第二導體化區域；

薄膜晶體管還包括：位于所述溝道區域之上的柵絕緣層，位于所述柵絕緣層之上的柵極，位于所述柵極、所述第一導體化區域、所述第二導體化區域、所述緩沖層和所遮光層之上的層間絕緣層，以及位于所述層間絕緣層之上的源極和漏極；其中，所述層間絕緣層包括在一次刻蝕工藝中形成的第一過孔、第二過孔以及第三過孔，所述源極通過所述第一過孔與所述第一導體化區域連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述第二導體化區域連接，所述漏極通過所述第三過孔與所述遮光層連接；或者，所述漏極通過所述第一過孔與所述第一導體化區域連接，所述源極通過所述第二過孔與所述第二導體化區域連接，所述源極通過所述第三過孔與所述遮光層連接。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述遮光層的材料包括鉬鈮合金，所述緩沖層的材料包括氧化鋁。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化鋁是鋁釹合金通過陽極氧化處理形成的。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述緩沖層的厚度在100nm～200nm范圍內。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，在平行于所述緩沖層的方向上，所述緩沖層的尺寸小于所述遮光層的尺寸。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1～5任一權利要求所述的薄膜晶體管。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求6所述的陣列基板。

8.一種薄膜晶體管制備方法，其特征在于，該方法包括：

在玻璃基板上設置遮光層；

在所述遮光層之上設置緩沖層；

在所述緩沖層之上設置半導體層；

所述半導體層包括三部分區域：溝道區域，經過導體化處理形成的第一導體化區域以及第二導體化區域，在平行于所述半導體層的方向上，所述溝道區域位于所述第一導體化區域與所述第二導體化區域之間；其中，所述緩沖層的使得入射到緩沖層的光，無法影響所述第一導體化區域、溝道區域和所述第二導體化區域；

所述緩沖層之上設置半導體層之后，該方法還包括：

形成位于所述溝道區域之上的柵絕緣層，形成位于所述柵絕緣層之上的柵極，形成位于所述柵極、所述第一導體化區域、所述第二導體化區域、所述緩沖層和所遮光層之上的層間絕緣層，以及形成位于所述層間絕緣層之上的源極和漏極；

其中，所述層間絕緣層包括在一次刻蝕工藝中形成的第一過孔、第二過孔以及第三過孔，所述源極通過所述第一過孔與所述第一導體化區域連接，所述漏極通過所述第二過孔與所述第二導體化區域連接，所述漏極通過所述第三過孔與所述遮光層連接；或者，所述漏極通過所述第一過孔與所述第一導體化區域連接，所述源極通過所述第二過孔與所述第二導體化區域連接，所述源極通過所述第三過孔與所述遮光層連接。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，在玻璃基板上設置遮光層具體包括：在玻璃基板上沉積鉬鈮合金，在所述鉬鈮合金之上沉積鋁釹合金，進行圖形化處理，得到鉬鈮合金層和鋁釹合金層；

在所述遮光層之上設置緩沖層具體包括：采用陽極氧化工藝對鋁釹合金進行處理，得到氧化鋁。