[發明專利]開關

有效

• 申請號: 201710305382.2
• 申請日: 2017-05-03
• 公開（公告）號: CN107395169B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: W·巴卡爾斯基
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/04
• 分類號: H03K17/04;H03K17/10
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種開關(100，100A，100B)，所述開關包括：

-輸入端接口(101)，

-至少一個輸出端接口(102)，

-耦合在所述輸入端接口(101)和所述至少一個輸出端接口(102)之間的、具有串聯耦合的晶體管(111)的第一堆疊(110)，

-耦合在所述輸入端接口(101)和所述至少一個輸出端接口(102)之間的、具有串聯耦合的晶體管(121)的第二堆疊(120)，

其中，所述第一堆疊(110)和所述第二堆疊(120)彼此并聯地連接；

其中，所述第一堆疊的晶體管具有第一時間常數，

其中，所述第二堆疊的晶體管具有第二時間常數，

其中，所述第一時間常數和所述第二時間常數是所述晶體管通斷所需的時間，

其中，所述第二時間常數中的至少一部分具有比所述第一時間常數大的值，

其中，所述第二時間常數針對所述第二堆疊的不同的晶體管采用不同的值，

其中，所述第二堆疊的相鄰于所述輸入端接口的晶體管的第二時間常數采用所有第二時間常數中的最大值。

2.根據權利要求1所述的開關(100，100A，100B)，

其中，所述第二時間常數的最小值是所述第一時間常數的最大值的至少五倍。

3.根據權利要求1所述的開關(100，100A，100B)，

其中，所述第一時間常數采用小于50μs的值，和/或

其中，所述第二時間常數采用大于50μs的值。

4.根據權利要求1所述的開關(100，100A，100B)，

其中，所述第二堆疊(120)針對所述第一堆疊(110)的每個晶體管(111)具有一個對應的晶體管(121)，

其中，所述第二堆疊(120)的每個晶體管(121)的源極觸點(106)與所述第一堆疊(110)的分別對應的晶體管(111)的源極觸點(106)耦合，

其中，所述第二堆疊(120)的每個晶體管(121)的漏極觸點(105)與所述第一堆疊(110)的分別對應的晶體管(111)的漏極觸點(105)耦合。

5.根據權利要求1所述的開關(100，100A，100B)，所述開關還包括：

控制接口(135)，所述控制接口設置用于接收控制信號，并且所述控制接口與所述第一堆疊(110)的晶體管(111)的柵極觸點(107)耦合，以便根據所述控制信號使該晶體管運行在未導通狀態或導通狀態中。

6.根據權利要求5所述的開關(100，100A，100B)，所述控制接口(135)不設置用于根據所述控制信號使所述第二堆疊(120)的晶體管(121)運行在未導通狀態或者導通狀態中。

7.根據權利要求1所述的開關(100，100A，100B)，所述開關還包括：

-電壓源(136)，所述電壓源設置用于產生偏壓信號，并且所述電壓源與所述第二堆疊(120)的晶體管(121)的柵極觸點(107)耦合，其中，所述電壓源設置用于借助于所述偏壓信號使所述第二堆疊(120)的晶體管(121)運行在未導通狀態中。

8.根據權利要求7所述的開關(100，100A，100B)，

其中，所述電壓源(136)不設置用于借助于所述偏壓信號使所述第一堆疊(110)的晶體管(111)運行在未導通狀態或者導通狀態中。

9.根據權利要求7所述的開關(100，100A，100B)，

其中，所述電壓源通過柵極觸點電阻(125，126)與所述第二堆疊(120)的晶體管(121)的柵極觸點(107)耦合，

其中，所述柵極觸點電阻(125，126)對于所述第二堆疊(120)的不同的場效應晶體管具有相同的值。