[發(fā)明專利]開關

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710305382.2
• 申請日: 2017-05-03
• 公開（公告）號: CN107395169B
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設計）人: W·巴卡爾斯基
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/04
• 分類號: H03K17/04;H03K17/10
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

一種開關(100)包括輸入端接口(101)和至少一個輸出端接口(102)。開關(100)也包括具有串聯(lián)耦合的晶體管(111)的第一堆疊(110)和具有串聯(lián)耦合的晶體管(121)的第二堆疊(120)、例如場效應晶體管。第一堆疊(110)和第二堆疊(120)并聯(lián)。

技術領域

不同的實施方式涉及一種開關，其包括具有串聯(lián)耦合的晶體管的第一堆疊和具有串聯(lián)耦合的晶體管的第二堆疊。不同的實施方式涉及一種開關，其包括第一堆疊和第二堆疊，其中，第一堆疊的晶體管的通斷與第一時間常數(shù)相關，并且第二堆疊的晶體管的通斷與第二時間常數(shù)相關，所述第二時間常數(shù)不同于第一時間常數(shù)。

背景技術

高頻(HF)開關使用在大量HF電路中，以便執(zhí)行不同的功能。諧振電路可以例如借助于HF電路設置用于諧振運行。所述諧振電路可以例如用作移動通訊裝置的天線。

具體地，例如對于不同的信號傳輸方法使用不同的頻率的通訊系統(tǒng)，可以在使用HF開關網(wǎng)絡的情況下被實施。借助于HF開關可以在HF前端電路的不同類型之間被選擇。這種通訊系統(tǒng)的一個實例可以是多標準移動電話，所述多標準移動電話可以在使用不同標準、例如Third Generation Partnership(3GPP)、Code Division Multiple Access(CDMA)或3GPP Global System for Communications(GSM)或3GPP Long Term Evolution(LTE)的情況下進行電話通話。同一個通訊標準也可以例如根據(jù)移動通訊運營商使用不同的頻率。在使用HF開關的情況下可以使用用于CDMA電話通話的HF前端電路，該HF前端電路對于CDMA通訊是優(yōu)化的；而對于GSM通話可以使用HF前端電路，該HF前端電路對于GSM通訊是優(yōu)化的。

此外可以使用HF開關，以便實現(xiàn)用于天線或功率放大器的可調的匹配網(wǎng)絡。這樣可以通過接通或關斷HF濾波器和/或繞開被動匹配或調節(jié)元件來提供可調的調節(jié)。

為了提供具有特別高的耐壓強度的HF開關，公知了使用具有串聯(lián)耦合的多個場效應晶體管(英語為：field effect transistor；FET)的堆疊的技術。典型的耐壓強度例如處于用于50Ohm移動電話應用的24V直至用于開關的打開狀態(tài)的天線諧振電路上的100V的范圍。因為典型的制造技術、例如Complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS)過程的元件不設計用于這種高壓，所以使用數(shù)個FET疊放的布置。則可以將電壓分配給數(shù)個FET，從而每個單個的FET經(jīng)受僅僅較低的電壓。例如個別的多個FET在CMOS絕緣襯底上的硅(英語為：silicon on insulator；SOI)過程中具有源極觸點和漏極之間2.5V的最大耐壓強度。則例如40個FET被疊放，以便實現(xiàn)100V的耐壓強度。例如參見US 4,317,055。

然而所述HF開關具有確一定的缺點或局限性。例如能夠可能的是，在所使用的構件確定的尺寸中存在對于輸入端接口上的電壓改變而言低的極限頻率。參見Shifrin，Mitchell B.，Peter J.Katzin，和Yalcin Ayasli.“Monolithic FET structures forhigh-power control component applications.”IEEE Trans.Microwave Theory andTechniques，第37期(1989年)第2134-2141頁；公式12，14和15。如果輸入端接口上的電壓以低于這個極限頻率的頻率改變，則導致?lián)p壞所使用的FET。由此可以使所述開關不可用。

常常可以導致與靜電放電(英語為electrostatic discharge；ESD)有關的緩慢的電壓改變。