[發(fā)明專利]一種通過(guò)陰極還原電沉積和化學(xué)沉積制備Cu2O/CuI電極的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710305132.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107299371B | 公開(公告)日: | 2018-11-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉潤(rùn);陸可丹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浙江大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C25D9/04 | 分類號(hào): | C25D9/04;C23C28/04 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 張法高;傅朝棟 |
| 地址: | 310058 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 通過(guò) 陰極 還原 沉積 化學(xué) 制備 cu2o cui 電極 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種通過(guò)陰極還原電沉積和化學(xué)沉積制備Cu2O/CuI電極的方法。該方法通過(guò)電沉積來(lái)制備Cu2O薄膜,再將Cu2O放入KI的弱酸性溶液中化學(xué)沉積一層CuI的方法得到Cu2O/CuI電極。本發(fā)明的特點(diǎn)是以陰極還原的方法于乳酸和Cu2+絡(luò)合的堿性混合電解液中,在60℃下進(jìn)行恒電位電沉積,較短時(shí)間內(nèi)就可在ITO導(dǎo)電玻璃上得到具有金字塔狀形貌的Cu2O薄膜電極。本發(fā)明使用的原料成本低廉,設(shè)備簡(jiǎn)單,操作簡(jiǎn)便快速,同時(shí)具有環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光電材料的制備,尤其涉及一種通過(guò)陰極還原電沉積和化學(xué)沉積制備Cu2O/CuI電極的方法。
背景技術(shù)
光電材料指通過(guò)光生伏打效應(yīng)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換為電能的材料。主要用于制作太陽(yáng)能電池。太陽(yáng)是一個(gè)巨大的能源庫(kù),研究和發(fā)展光電轉(zhuǎn)換材料的目的是為了利用太陽(yáng)能。光電轉(zhuǎn)換材料的工作原理是將相同的材料或兩種不同的半導(dǎo)體材料做成電池,當(dāng)太陽(yáng)光照射到電池材料表面時(shí)形成新的空穴-電子對(duì)在電場(chǎng)的作用下移動(dòng),接通電路后就形成電流。Cu2O是一種很好的光電材料,它在波長(zhǎng)為 300-650nm的入射光光照下會(huì)產(chǎn)生一定的光電流,但是由于它在空氣中極易被氧化,因此需要在其表面進(jìn)行一定的修飾,起到保護(hù)作用。CuI是一種很好的半導(dǎo)體材料,而且它在空氣中比Cu2O要穩(wěn)定,在420nm的入射光光照下也會(huì)有光電響應(yīng)。將Cu2O放入含I-的弱酸溶液中,Cu2O的Cu+會(huì)溶解到溶液中,與I-結(jié)合成CuI覆蓋在Cu2O表面,形成Cu2O/CuI薄膜。
此發(fā)明中,采用簡(jiǎn)單易操作的電沉積方法制備Cu2O薄膜電極,并采用化學(xué)沉積方法在其表面修飾一層CuI,設(shè)備簡(jiǎn)單,低溫常壓,經(jīng)濟(jì)環(huán)保,除了進(jìn)行科學(xué)研究外,可進(jìn)行大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題,并提供一種通過(guò)陰極還原電沉積和化學(xué)沉積制備Cu2O/CuI電極的方法。
一種通過(guò)陰極還原電沉積和化學(xué)沉積制備Cu2O/CuI電極的方法,步驟如下:
1)用丙酮清洗ITO導(dǎo)電玻璃,然后在超聲環(huán)境中用去離子水對(duì)導(dǎo)電玻璃進(jìn)行清洗,接著將導(dǎo)電玻璃放在稀硝酸溶液中活化,最后再用去離子水清洗,完成ITO 導(dǎo)電玻璃的活化;
2)將CuSO4·5H2O溶解于蒸餾水中,并在攪拌中加入乳酸,使之與Cu2+充分絡(luò)合至溶液呈深藍(lán)色澄清狀,然后加入NaOH溶液調(diào)節(jié)溶液pH值,得到澄清電解液;以活化后的ITO導(dǎo)電玻璃為工作電極,鉑片電極為對(duì)電極,銀-氯化銀電極為參比電極,置于該電解液中進(jìn)行恒電位電沉積,電沉積所得樣品用去離子水沖洗后自然晾干,得到基于ITO導(dǎo)電玻璃的紅色Cu2O薄膜;
3)將基于ITO導(dǎo)電玻璃的紅色Cu2O薄膜放入KI溶液中,得到Cu2O/CuI電極。
上述制備方法中,各步驟可具體采用如下參數(shù):
丙酮清洗ITO導(dǎo)電玻璃的次數(shù)為3~5次,超聲波清洗時(shí)間為30~60min。導(dǎo)電玻璃在稀硝酸溶液中的活化時(shí)間為30~60s。所述的電解液中,CuSO4·5H2O 的濃度為0.2mol/L,乳酸的濃度為0.3mol/L,電解液的pH為9。恒電位電沉積過(guò)程中,保持水浴溫度60℃,相對(duì)于銀-氯化銀電極的陰極電位為-0.4V,沉積時(shí)間為30min。所述的KI溶液濃度為2×10-3M,并用硝酸調(diào)至pH=3。
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