[發明專利]一種通過陰極還原電沉積和化學沉積制備Cu2O/CuI電極的方法

有效

• 申請號: 201710305132.9
• 申請日: 2017-05-03
• 公開（公告）號: CN107299371B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 劉潤;陸可丹
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C25D9/04
• 分類號: C25D9/04;C23C28/04
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高;傅朝棟

1.一種通過陰極還原電沉積和化學沉積制備Cu₂O/CuI電極的方法，其特征在于，步驟如下：

1）用丙酮清洗ITO導電玻璃，然后在超聲環境中用去離子水對導電玻璃進行清洗，接著將導電玻璃放在稀硝酸溶液中活化，最后再用去離子水清洗，完成ITO導電玻璃的活化；

2）將CuSO₄·5H₂O溶解于蒸餾水中，并在攪拌中加入乳酸，使之與Cu²⁺充分絡合至溶液呈深藍色澄清狀，然后加入NaOH溶液調節溶液pH值，得到澄清電解液；以活化后的ITO導電玻璃為工作電極，鉑片電極為對電極，銀-氯化銀電極為參比電極，置于該電解液中進行恒電位電沉積，電沉積所得樣品用去離子水沖洗后自然晾干，得到基于ITO導電玻璃的紅色Cu₂O薄膜；

3）將基于ITO導電玻璃的紅色Cu₂O薄膜放入KI溶液中，得到Cu₂O/CuI電極。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，丙酮清洗ITO導電玻璃的次數為3～5次，超聲波清洗時間為30～60min。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，導電玻璃在稀硝酸溶液中的活化時間為30～60s。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的電解液中，CuSO₄·5H₂O的濃度為0.2mol/L，乳酸的濃度為0.3mol/L，電解液的pH為9。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，恒電位電沉積過程中，保持水浴溫度60℃，相對于銀-氯化銀電極的陰極電位為-0.4V，沉積時間為30min。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述的KI溶液濃度為2×10^-3M，并用硝酸調至pH=3。