[發明專利]干蝕刻設備及干蝕刻設備的電極在審
| 申請號: | 201710302181.7 | 申請日: | 2017-05-02 |
| 公開(公告)號: | CN107170660A | 公開(公告)日: | 2017-09-15 |
| 發明(設計)人: | 溫俊斌 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產權代理有限公司11228 | 代理人: | 亓贏 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻 設備 電極 | ||
技術領域
本申請涉及一種干蝕刻設備及干蝕刻設備的電極。
背景技術
隨著科技進步,具有省電、無幅射、體積小、低耗電量、平面直角、高分辨率、畫質穩定等多項優勢的液晶顯示器,尤其是現今各式信息產品如:手機、筆記本電腦、數字相機、PDA、液晶屏幕等產品越來越普及,也使得液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)的需求量大大提升。因而推動了液晶顯示面板行業的快速發展,面板的產量不斷提升。蝕刻工藝是制造液晶顯示面板的陣列基板過程中的一個重要步驟。蝕刻工藝根據蝕刻劑的物理狀態分為干蝕刻工藝和濕蝕刻工藝,即干蝕刻工藝為利用蝕刻氣體進行蝕刻的工藝,濕蝕刻工藝為利用蝕刻液體進行蝕刻的工藝。
在利用干蝕刻工藝進行陣列基板制造的過程中,理想狀態下蝕刻氣體(Process Gas)是在進氣系統的吹力、抽氣系統的吸力、電極板之間的電壓等因素的作用下以完全垂直于待加工基板面的方向吹向待加工基板面。在整個加工過程中,在保證蝕刻氣體的氣壓、氣流的穩定的前提下,使整個加工過程中待加工基板面每個部分接觸到相等的量的蝕刻氣體、以期待加工基板各部分會以相同速率被處理,確保待加工基板各部分在加工過程中的加工均一性。
但是,由于腔室內部的角落一般為隔網或不裝設任何組件,再加上蝕刻腔體內部設計結構以及排氣系統設計等因素,導致在實際操作中蝕刻氣體會向腔室內部的角落流動,四角落與其他位置蝕刻程度有落差,形成不適當的負載效應(Loading Effect),使得待加工基板各個部分的蝕刻程度不同,造成待加工基板的各部分的加工均一性(Panel Uniformity)不佳,導致產品報廢。
發明內容
為了解決上述技術問題,本申請的目的在于,提供一種干蝕刻設備及干蝕刻設備的電極,可以在不大幅改變現有干蝕刻流程的前提,提升蝕刻氣體流動方向的均勻分布情形。
本申請的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本申請提出的一種干蝕刻設備的電極,所述干蝕刻設備的電極,包括:電極板,表面包括組件放置區及環繞所述組件放置區的邊緣區;阻擋環設置在所述邊緣區,位于所述組件放置區的外圍;以及,隔板設置在所述電極板外側,鄰接所述阻擋環的外圍,所述隔板具有多個穿孔。
本申請解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
在本申請的一實施例中,所述隔板以等間距、不等間距、局部等間距或無間隔的方式設置于所述阻擋環的外圍。
在本申請的一實施例中,所述多個穿孔以均勻、不均勻、局部均勻的方式設置于所述隔板。
在本申請的一實施例中,所述多個穿孔的形狀與大小是相同、相異或局部相同。
本申請的另一目為一種干蝕刻設備,包括:腔室;基臺設置于所述腔室的內部;第一電極設置于所述基臺上,表面包括組件放置區及環繞所述組件放置區的邊緣區;阻擋環設置在所述邊緣區位于所述組件放置區的外圍;隔板設置在所述第一電極外緣,位于所述阻擋環的外圍,所述隔板具有多個穿孔;第二電極設置于所述腔室的內部并與所述第一電極對向設置;進氣口設置于所述腔室內側,所述進氣口的水平位置高于所述第一電極的水平位置;以及,抽氣口設置于所述腔室內側,所述抽氣口的水平位置低于所述第一電極的水平位置。
本申請解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
在本申請的一實施例中,所述隔板以等間距、不等間距、局部等間距或無間隔的方式設置于所述阻擋環的外圍。
在本申請的一實施例中,所述多個穿孔以均勻、不均勻、局部均勻的方式設置于所述隔板。
在本申請的一實施例中,所述多個穿孔的形狀與大小是相同、相異或局部相同。
在本申請的一實施例中,所述抽氣口設置于所述腔室的底部,與所述隔板的開口對向設置。
在本申請的一實施例中,所述抽氣口設置于所述腔室的側邊,鄰接所述隔板的開口。
本申請可以不大幅改變現有干蝕刻流程的前提,提升蝕刻氣體流動方向的均勻分布情形,避免蝕刻氣體持續朝向腔室內部的角落流動,減少待加工基板四角落與其他位置蝕刻程度有落差,降低不適當的負載效應產生情形,維持待加工基板的各部分的加工均一性,提升待加工基板的制造良率。
附圖說明
圖1a為范例性的干蝕刻設備的結構示意圖。
圖1b為范例性的干蝕刻設備的電極結構示意的俯視圖。
圖2為依據本申請的方法,一實施例應用于干蝕刻設備的電極結構示意的俯視圖。
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