[發明專利]有機發光二極管組件及其制備方法、顯示面板和電子設備在審
| 申請號: | 201710302070.6 | 申請日: | 2017-05-02 |
| 公開(公告)號: | CN106972110A | 公開(公告)日: | 2017-07-21 |
| 發明(設計)人: | 張育楠;史婷 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 組件 及其 制備 方法 顯示 面板 電子設備 | ||
技術領域
本發明涉及有機發光二極管顯示領域,特別是涉及一種有機發光二極管組件及其制備方法、顯示面板和電子設備。
背景技術
有機發光二極管(Organic Light Emitting Diodes,OLED)作為新一代平板顯示器件,具有自發光、廣視角、對比度高、反應速度快、耗電低等優勢,有望成為下一代主流平板顯示技術,是目前平板顯示技術中受到關注最多的技術之一。本申請的發明人在長期的研發中發現,現有技術中OLED器件還存在色域低、穩定性差、壽命短等問題。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種有機發光二極管組件及其制備方法、顯示面板和電子設備,能夠提高OLED器件的色域、穩定性,延長OLED器件的使用壽命。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:提供一種有機發光二極管組件,該有機發光二極管組件包括:依序設置的陽極層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極層,其中,陽極層為高功率函數的金屬層;電子傳輸層包括量子點材料。
為解決上述技術問題,本發明采用的另一個技術方案是:提供一種有機發光二極管顯示面板,該顯示面板包括上述有機發光二極管組件。
為解決上述技術問題,本發明采用的另一個技術方案是:提供一種電子設備,該電子設備包括控制器和上述有機發光二極管顯示面板,其中,控制器耦接上述有機發光二極管顯示面板。
為解決上述技術問題,本發明采用的另一個技術方案是:提供一種有機發光二極管組件的制備方法,該方法包括:在基板上形成陰極層;在陰極層與發光層之間形成包括量子點材料的電子傳輸層;形成發光層;在發光層與陽極層之間形成空穴傳輸層;形成高功率函數的金屬層作為陽極層。
本發明的有益效果是:區別于現有技術的情況,本發明提供一種有機發光二極管組件,該有機發光二極管組件選用高功率函數的金屬層作為陽極層,這些高功率函數的金屬化學活潑性較低,能夠提高電極的穩定性,進而延長OLED器件的使用壽命。另外,該有機發光二極管組件的電子傳輸層摻雜有量子點材料,量子點發光材料的發光光譜集中,色純度高,能夠提高OLED顯示器的色域。
附圖說明
圖1是本發明有機發光二極管組件一實施方式的結構示意圖;
圖2是本發明有機發光二極管顯示面板一實施方式的結構示意圖;
圖3是本發明電子設備一實施方式的結構示意圖;
圖4是本發明有機發光二極管組件的制備方法一實施方式的流程示意圖。
具體實施方式
為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確,以下參照附圖并舉實施例對本發明進一步詳細說明。
請參閱圖1,圖1是本發明有機發光二極管組件一實施方式的結構示意圖。該實施方式中有機發光二極管組件包括依序設置的陽極層105、空穴傳輸層104、發光層103、電子傳輸層102和陰極層101;其中,陽極層105為高功率函數的金屬層;電子傳輸層102包括量子點材料。
OLED顯示器的驅動方式分為無源驅動(Passive Matrix Driving,PM-OLED)與有源驅動(Active Matrix Driving,AM-OLED);有源驅動又分為非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)技術和低溫多晶硅(Low temperature poly-Si TFT,LTPS TFT)技術;TFT又分為P型TFT和n型TFT,其中,P型TFT通過漏電極向OLED器件提供空穴,與OLED的陽極相連,n型TFT通過漏電極向OLED器件提供電子,與OLED的陰極相連。
在有源驅動中,控制OLED的TFT通常制作于陽極一側,這就要求TFT必須是p型,但是制作工藝簡單成熟的a-Si TFT由于a-Si中載流子遷移率很低,且其空穴遷移率比電子遷移率低很多,因此a-Si TFT只能制備成n型TFT,進而限制了a-Si TFT在OLED器件中的應用。若想選用n型TFT控制OLED,為了保證其工作在飽和區,必須將OLED器件接到n型TFT的漏極,即將OLED器件的陰極與n型TFT的漏極相接,也就是說OLED器件具有底電極為陰極的倒置結構。采用倒置型OLED器件結構能夠使性能優越的n型TFT應用于AMOLED像素電路,增加了AMOLED驅動電路設計的選擇、且降低成本。倒置結構的OLED器件可以制作成頂部出光的頂發射器件和底部出光的底發射器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





