[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管組件及其制備方法、顯示面板和電子設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710302070.6
• 申請日: 2017-05-02
• 公開（公告）號: CN106972110A
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張育楠;史婷
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

1.一種有機(jī)發(fā)光二極管組件，包括依序設(shè)置的陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層，其特征在于，

所述陽極層為高功率函數(shù)的金屬層；

所述電子傳輸層包括量子點(diǎn)材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述高功率函數(shù)的金屬層為銀、金層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述量子點(diǎn)材料在所述電子傳輸層中的質(zhì)量含量為大于0且小于等于20％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其特征在于，所述陰極為靠近基板的底電極。

5.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，其特征在于，包括：基板、蓋板以及位于基板與蓋板之間的權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光二極管組件。

6.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：控制器及權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板，所述控制器耦接所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板。

7.一種有機(jī)發(fā)光二極管組件的制備方法，其特征在于，包括：

在基板上形成陰極層；

在所述陰極層與發(fā)光層之間形成包括量子點(diǎn)材料的電子傳輸層；

形成所述發(fā)光層；

在所述發(fā)光層與陽極層之間形成空穴傳輸層；

形成高功率函數(shù)的金屬層作為所述陽極層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，

所述在基板上形成陰極層包括：利用磁控濺射法形成所述陰極層；所述陰極層的膜厚度為20nm～200nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，

所述在所述陰極層與發(fā)光層之間形成包括量子點(diǎn)材料的電子傳輸層包括：利用噴墨打印法形成所述電子傳輸層；所述電子傳輸層的膜厚度為1nm～100nm；

所述形成所述發(fā)光層包括：利用噴墨打印法形成所述發(fā)光層；所述發(fā)光層的膜厚度為1nm～100nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，

所述在所述發(fā)光層與陽極層之間形成空穴傳輸層包括：利用蒸鍍成膜法形成所述空穴傳輸層；所述空穴傳輸層的膜厚度為0.5nm～50nm；

所述形成高功率函數(shù)的金屬層作為所述陽極層包括：利用真空蒸鍍法形成所述陽極層；所述陽極層的膜厚度為10nm～2000nm。