[發(fā)明專利]納米涂層設(shè)備的電磁過濾裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710300658.8 | 申請(qǐng)日: | 2017-05-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107177822B | 公開(公告)日: | 2019-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王書文;劉彩霞;沈麗霞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/32 | 分類號(hào): | C23C14/32 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吳寶根;王晶 |
| 地址: | 200093 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 涂層 設(shè)備 電磁 過濾 裝置 | ||
本發(fā)明涉及一種納米涂層設(shè)備的電磁過濾裝置,真空電弧的陰極與陽(yáng)極之間產(chǎn)生電弧,在垂直于電弧陰極表面的附近產(chǎn)生等離子,在磁場(chǎng)的作用下,等離子體中的宏觀粒子、中性原子和離子團(tuán)被偏移到過濾屏幕上,而純凈的等離子體被偏移到更高磁場(chǎng)分量的位置,最終到達(dá)放置基體的轉(zhuǎn)臺(tái),并沉積在基體上。本發(fā)明可以減少離子體中宏觀粒子、離子團(tuán)和中性原子在工件表面的沉積,同時(shí)確保電磁過濾后沉積粒子的離化率、提高等離子體在過濾屏幕中的有效傳輸,從而能將離子源產(chǎn)生等離子體中的宏觀粒子、離子團(tuán)和中性原子過濾干凈,且經(jīng)過電磁過濾后沉積粒子的離化率為100%,最終實(shí)現(xiàn)致密均勻、平整光滑、抗腐蝕性能好且與基體結(jié)合力很強(qiáng)的納米涂層的制備。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種納米涂層設(shè)備,尤其是一種納米涂層設(shè)備的電磁過濾裝置,屬于電磁過濾技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
中國(guó)每年因磨損、腐蝕、氧化等引起部件失效造成鋼材和合金材料損失達(dá)數(shù)百億元。開發(fā)納米涂層技術(shù)和納米涂層設(shè)備既能延長(zhǎng)材料壽命并節(jié)約大量資金,又能符合環(huán)保要求。與傳統(tǒng)涂層相比,真正意義在于納米涂層在強(qiáng)度、韌性、耐磨、熱障等方面性能的大幅度提高。因此,隨著現(xiàn)代工業(yè)的飛速發(fā)展,對(duì)機(jī)械零件表面性能的要求越來(lái)越高,對(duì)納米涂層技術(shù)及設(shè)備的要求也越來(lái)越高。
納米涂層設(shè)備的電磁過濾裝置能將離子源產(chǎn)生等離子體中的宏觀粒子、離子團(tuán)、中性原子過濾干凈,且經(jīng)過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%,從而制備的納米涂層非常致密和平整光滑,抗腐蝕性能好,且與基體的結(jié)合力很強(qiáng),所以能夠降低涂層過早剝落和分層的機(jī)率。
在《過濾陰極電弧沉積設(shè)備和方法》專利中,權(quán)利人提出一種真空沉積設(shè)備,包括用于在基板上施加涂層的陰極電弧源。陰極電弧源包括用于產(chǎn)生磁場(chǎng)的聚焦磁性源以及膜形成材料的電弧陰極和陽(yáng)極,其中,聚焦磁性源安置在電弧陰極和基板之間,在陰極蒸發(fā)表面上產(chǎn)生的電弧斑被磁場(chǎng)線保持在磁場(chǎng)線垂直于陰極表面的地方。然而,該發(fā)明只能確保部分地以宏觀粒子過濾模式產(chǎn)生強(qiáng)電離的金屬蒸氣,用于致密的平穩(wěn)的涂布工作。另外在《陰極真空電弧源薄膜沉積裝置及沉積薄膜的方法》專利中,權(quán)利人提出一種陰極真空電弧源薄膜沉積裝置,其中包括具有高速傳輸?shù)入x子及有效過濾宏觀大顆粒的磁性過濾部分,該磁性過濾部分包括管體和設(shè)置在管體外部周緣的磁場(chǎng)產(chǎn)生器。與現(xiàn)有技術(shù)相比,上述兩種發(fā)明只提及該設(shè)備可過濾宏觀大顆粒,并沒有提及該設(shè)備還可以過濾離子團(tuán),同時(shí)確保磁過濾后沉積粒子的離化率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種納米涂層設(shè)備的電磁過濾裝置,以減少離子體中宏觀粒子、離子團(tuán)和中性原子在工件表面的沉積,同時(shí)確保磁過濾后沉積粒子的離化率、提高等離子體在過濾屏幕中的有效傳輸,從而達(dá)到能將離子源產(chǎn)生等離子體中的宏觀粒子、離子團(tuán)和中性原子過濾干凈,且經(jīng)過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%的目標(biāo),最終實(shí)現(xiàn)致密、平整光滑、抗腐蝕性能好且與基體結(jié)合力很強(qiáng)的納米涂層的制備。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種納米涂層設(shè)備的電磁過濾裝置,包括過濾屏幕、真空系統(tǒng)、標(biāo)準(zhǔn)電弧蒸發(fā)器、大顆粒清除裝置,標(biāo)準(zhǔn)電弧蒸發(fā)器連接真空系統(tǒng),所述標(biāo)準(zhǔn)電弧蒸發(fā)器發(fā)射的真空電弧的陽(yáng)極正極作為真空腔室中的電離結(jié)構(gòu),真空電弧引起靶材料氣化及離子化從而使產(chǎn)生的等離子體在陰極和陽(yáng)極之間傳導(dǎo)電流,即電弧中的等離子體放電,陰極負(fù)極制成陰極離子源可替換元件夾持在過濾屏幕上,所述真空電弧的陰極與陽(yáng)極之間產(chǎn)生電弧,在垂直于電弧陰極表面的附近產(chǎn)生等離子,在磁場(chǎng)的作用下,等離子體中的宏觀粒子、中性原子和離子團(tuán)被打到過濾屏幕上,而純凈的等離子體被偏移到更高磁場(chǎng)分量的位置,最終到達(dá)放置基體的轉(zhuǎn)臺(tái),以沉積在基體上;同時(shí),大顆粒清除裝置定期清理宏觀粒子、中性原子和離子團(tuán)等大顆粒。
在沉積過程之前,所述納米涂層設(shè)備的電磁過濾裝置的進(jìn)氣口通入氮?dú)猓艢饪谂懦隹諝猓员WC沉積過程中設(shè)備是真空狀態(tài),不受外界因素的干擾。
本發(fā)明的有益效果是:
1、該高效的電磁過濾裝置,可將離子源產(chǎn)生等離子體中的宏觀粒子、離子團(tuán)和中性原子過濾干凈,且經(jīng)過磁過濾后沉積粒子的離化率為100%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海理工大學(xué),未經(jīng)上海理工大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710300658.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





