[發明專利]一種陣列基板、其驅動方法、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201710296501.2
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN106920804B
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發明（設計）人: 文亮
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

本發明公開了一種陣列基板、其驅動方法、顯示面板及顯示裝置，通過在薄膜晶體管的有源層遠離柵電極的一側設置控制電極，并通過控制位于控制電極與有源層之間的緩沖層的厚度，使緩沖層的厚度大于位于柵電極與有源層之間的柵極絕緣層的厚度，來調節控制電極和有源層之間的距離大于柵電極和有源層之間的距離，并至少在柵電極加載關閉電壓使薄膜晶體管處于截止狀態時，對控制電極加載第一控制電壓，來影響此刻薄膜晶體管的Vg電壓，從而影響薄膜晶體管的閾值電壓Vth，使薄膜晶體管的Id?Vg曲線發生移動，保證在薄膜晶體管關閉時漏電流Id比較小，達到穩定電路和降低功耗的效果。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤指一種陣列基板、其驅動方法、顯示面板及顯示裝置。

背景技術

目前，隨著科技的發展，在諸如液晶顯示面板的顯示器件中已經采用低溫多晶硅制作薄膜晶體管，具體地，包含低溫多晶硅薄膜晶體管的陣列基板如圖1所示，一般包括依次設置在襯底基板上的遮光層001、緩沖層002、多晶硅層即有源層003、柵極絕緣層004、柵電極005、層間絕緣層006、源漏電極007、平坦化層008、第一透明電極009、鈍化層010和第二透明電極011；其中，第一透明電極009作為公共電極，第二透明電極011作為像素電極通過貫穿平坦化層008和鈍化層010的過孔與源漏電極007中的漏電極連接。

具體地，采用如圖1所示結構的薄膜晶體管組成電路結構時，例如組成如圖2所示的包括NTFT和PTFT的反向器時，其電流-電壓(Id-Vg)曲線如圖3所示，從圖3可以看出，NTFT和PTFT的閾值電壓Vth非常靠近，NTFT的Vth一般在0.6V左右，PTFT的Vth一般在-0.6V左右，導致柵電極的電壓Vg＝0時，漏電流Id比較大，一般在10^-7A-10^-9A左右。因此，采用具有較大漏電流的NTFT和PTFT組成的電路，由于漏電流較大，會導致功耗較大且出現器件不穩定等問題。

因此，如何降低薄膜晶體管的漏電流，是本領域亟需解決的技術問題。

發明內容

本發明實施例提供一種陣列基板、其驅動方法、顯示面板及顯示裝置，用以解決現有技術中存在的薄膜晶體管的漏電流大的問題。

一方面，本發明實施例提供了一種陣列基板，包括：薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：有源層，柵電極，控制電極，設置于所述柵電極與所述有源層之間的柵極絕緣層，以及設置于所述控制電極與所述有源層之間的緩沖層；

所述緩沖層的厚度大于所述柵極絕緣層的厚度；

所述控制電極至少在所述柵電極加載關閉電壓時加載第一控制電壓。

另一方面，本發明實施例還提供了一種顯示面板，包括本發明實施例提供的上述陣列基板。

另一方面，本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的上述顯示面板。

另一方面，本發明實施例還提供了一種陣列基板的驅動方法，用于驅動本發明實施例提供的上述陣列基板，包括：對薄膜晶體管的柵電極加載關閉電壓的同時，對控制電極加載第一控制電壓。

本發明有益效果如下：

本發明實施例提供的一種陣列基板、其驅動方法、顯示面板及顯示裝置，通過在薄膜晶體管的有源層遠離柵電極的一側設置控制電極，并通過控制位于控制電極與有源層之間的緩沖層的厚度，使緩沖層的厚度大于位于柵電極與有源層之間的柵極絕緣層的厚度，來調節控制電極和有源層之間的距離大于柵電極和有源層之間的距離，并至少在柵電極加載關閉電壓使薄膜晶體管處于截止狀態時，對控制電極加載第一控制電壓，來影響此刻薄膜晶體管的Vg電壓，從而影響薄膜晶體管的閾值電壓Vth，使薄膜晶體管的Id-Vg曲線發生移動，保證在薄膜晶體管關閉時漏電流Id比較小，達到穩定電路和降低功耗的效果。

附圖說明