[發明專利]一種陣列基板、其驅動方法、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201710296501.2 | 申請日: | 2017-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN106920804B | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發明(設計)人: | 文亮 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 驅動 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括:薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括:有源層,柵電極,控制電極,設置于所述柵電極與所述有源層之間的柵極絕緣層,以及設置于所述控制電極與所述有源層之間的緩沖層;
所述緩沖層的厚度大于所述柵極絕緣層的厚度;其中,所述緩沖層的厚度范圍為1000nm~5000nm,所述柵極絕緣層的厚度范圍為50nm~200nm;
所述控制電極至少在所述柵電極加載關閉電壓時加載第一控制電壓;
所述控制電極在所述柵電極加載開啟電壓時加載第二控制電壓,其中,所述第一控制電壓和/或所述第二控制電壓位于所述開啟電壓與關閉電壓之間,所述第一控制電壓和所述第二控制電壓相同;
所述薄膜晶體管為N型薄膜晶體管時,所述第一控制電壓為[-1.5V,-0.5V],包括端點值;
所述薄膜晶體管為P型薄膜晶體管時,所述第一控制電壓為[0.5V,1.5V],包括端點值。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述薄膜晶體管為以下之一或組合:設置于顯示區域的多個像素控制晶體管,以及設置非顯示區域的驅動電路中的N型晶體管和P型晶體管。
3.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述像素控制晶體管為N型晶體管,所述像素控制晶體管在柵電極加載關閉電壓時加載的第一控制電壓與所述驅動電路中的N型晶體管在柵電極加載關閉電壓時加載的第一控制電壓相同。
4.如權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述像素控制晶體管在柵電極加載開啟電壓時加載的第二控制電壓為0V,所述驅動電路中的N型晶體管在柵電極加載開啟電壓時加載的第二控制電壓為-1.5V。
5.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管,所述薄膜晶體管還包括:源漏電極,以及設置于所述源漏電極與所述柵電極之間的層間絕緣層。
6.如權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,還包括:與所述源漏電極同層設置的第一信號走線;所述第一信號走線通過貫穿所述緩沖層、所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層的第一接觸孔與所述控制電極連接。
7.如權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,還包括:依次設置于所述薄膜晶體管上的平坦化層和第二信號走線;所述第二信號走線通過貫穿所述緩沖層、所述柵極絕緣層、所述層間絕緣層和所述平坦化層的第二接觸孔與所述控制電極連接。
8.如權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,還包括:依次設置于所述薄膜晶體管上的平坦化層、第一透明電極、鈍化層和第二透明電極,以及與所述第二透明電極同層設置的第三信號走線;所述第三信號走線通過貫穿所述緩沖層、所述柵極絕緣層、所述層間絕緣層、所述平坦化層和所述鈍化層的第三接觸孔與所述控制電極連接。
9.一種顯示面板,其特征在于,包括如權利要求1-8任一項所述的陣列基板。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求9所述的顯示面板。
11.一種陣列基板的驅動方法,用于驅動如權利要求1-8中任一項所述的陣列基板,其特征在于,包括:對薄膜晶體管的柵電極加載關閉電壓的同時,對控制電極加載第一控制電壓。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





