[發明專利]晶體管結構、顯示裝置以及制造晶體管結構的方法

有效

• 申請號: 201710295684.6
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107342225B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 李弦燮;盧正訓;宋根圭;張常希;崔炳錫
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 梁洪源;康泉

本發明涉及晶體管結構、顯示裝置以及制造晶體管結構的方法。該晶體管結構可以包括：第一電極、第二電極、第三電極、基板和半導體構件。半導體構件與第三電極重疊并且包括第一半導體部分、第二半導體部分和第三半導體部分。第一半導體部分直接接觸第一電極、直接連接至第三半導體部分并且通過第三半導體部分連接至第二半導體部分。第二半導體部分直接接觸第二電極并且直接連接至第三半導體部分。第一半導體部分與基板之間的最小距離不等于第二半導體部分與基板之間的最小距離。

本申請要求享有2016年4月29日向韓國專利局提交的韓國專利申請第10-2016-0053025號的優先權和權益；該韓國專利申請的公開通過引用合并于本文。

技術領域

技術領域涉及一種晶體管結構、一種包括該晶體管結構的液晶顯示裝置以及一種制造該晶體管結構的方法。

背景技術

顯示裝置可以根據輸入信號顯示圖像。顯示裝置的各種類型可以包括液晶顯示(LCD)裝置、有機發光顯示(OLED)裝置以及其他。

諸如液晶顯示裝置的顯示裝置可以包括場生成電極以及液晶層，場生成電極諸如像素電極和公共電極。電壓可以施加至場生成電極以在液晶層中生成電場，以用于控制入射光的傳輸，由此顯示圖像。

顯示裝置可以包括晶體管和遮光構件。晶體管可以控制電壓的施加并且可以布置在由遮光構件所覆蓋的遮光區域中。遮光區域的大小可以影響由顯示裝置所顯示的圖像的質量。

發明內容

在實施例中，一種陣列基板可以是/包括晶體管結構。

實施例可以涉及一種包括具有高孔徑比的像素的陣列基板。

實施例可以涉及一種包括具有穩定電特性的薄膜晶體管的陣列基板。

實施例可以涉及一種適用于高分辨率顯示裝置的陣列基板。

實施例可以涉及一種具有高孔徑比的顯示裝置，例如液晶顯示裝置。

實施例可以涉及一種包括具有穩定電特性的薄膜晶體管的顯示裝置，例如液晶顯示裝置。

實施例可以涉及一種包括適用于高分辨率顯示裝置的陣列基板的顯示裝置，例如液晶顯示裝置。

實施例可以涉及一種制造包括具有高孔徑比的像素的陣列基板的方法。

實施例可以涉及一種制造包括具有穩定電特性的薄膜晶體管的陣列基板的方法。

實施例可以涉及一種制造適用于高分辨率顯示裝置的陣列基板的方法。

根據實施例，一種陣列基板(其可以是/包括晶體管結構)可以包括以下元件：第一基板(或基底基板)；布置在第一基板上的結構構件，包括定位在第一基板的上表面之上的上表面，并且包括從結構構件的上表面向第一基板的上表面延伸的側表面；布置在結構構件的側表面上的柵電極；與柵電極絕緣并且彼此間隔開的源電極和漏電極；以及接觸源電極和漏電極中的每一個的半導體構件，其中源電極或漏電極布置在結構構件的上表面上。

柵電極可以布置在結構構件的側表面上。

結構構件的側表面可以包括傾斜表面，并且柵電極可以沿著傾斜表面布置。

半導體構件可以布置在柵電極上，并且可以包括具有與結構構件的側表面的傾斜表面相同斜率的傾斜表面。

陣列基板可以包括電連接源電極和漏電極的溝道，其中溝道沿著半導體構件的傾斜表面延伸。溝道可以是半導體構件的一部分。

柵電極的一端可以在垂直方向上與結構構件的上表面重疊，并且柵電極的另一端可以在垂直方向上不與結構構件的上表面重疊。

半導體構件的一端可以在垂直方向上與結構構件的上表面重疊，并且半導體構件的另一端可以在垂直方向上不與結構構件的上表面重疊。