[發明專利]晶體管結構、顯示裝置以及制造晶體管結構的方法

有效

• 申請號: 201710295684.6
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107342225B
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 李弦燮;盧正訓;宋根圭;張常希;崔炳錫
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 梁洪源;康泉

1.一種晶體管結構，包括：

基板；

布置在所述基板上的第一數據線和第二數據線；

連接到所述第一數據線的第一電極；

與所述第一電極間隔開的第二電極；

連接到所述第二數據線的第三電極；

與所述第三電極間隔開的第四電極；

第一半導體構件，所述第一半導體構件包括直接接觸所述第一電極的第一半導體部分、直接接觸所述第二電極的第二半導體部分以及直接連接所述第一半導體部分和所述第二半導體部分的第三半導體部分；

第二半導體構件，所述第二半導體構件包括直接接觸所述第三電極的第四半導體部分和直接接觸所述第四電極的第五半導體部分；以及

結構構件，所述結構構件在垂直于所述基板的側邊的方向上定位在所述第一半導體部分與所述基板之間并且定位在所述第五半導體部分與所述基板之間，

其中，所述第一半導體部分與所述基板之間的最小距離不等于所述第二半導體部分與所述基板之間的最小距離，并且

其中，所述第一數據線和所述第二數據線布置在不同水平面上。

2.根據權利要求1所述的晶體管結構，進一步包括第一柵電極，所述第一柵電極與所述第一半導體構件重疊。

3.根據權利要求2所述的晶體管結構，其中所述第一柵電極包括：與所述第一半導體部分重疊的第一導電部分、與所述第二半導體部分重疊的第二導電部分以及直接連接所述第一導電部分和所述第二導電部分的第三導電部分，

其中所述第一導電部分與所述基板之間的最小距離不等于所述第二導電部分與所述基板之間的最小距離。

4.根據權利要求3所述的晶體管結構，其中所述第一導電部分與所述結構構件重疊，并且所述第二導電部分不與所述結構構件重疊。

5.根據權利要求3所述的晶體管結構，其中所述第一半導體部分與所述基板之間的最小距離比所述第二半導體部分與所述基板之間的最小距離大第一量，并且

其中所述第一量大于0且小于或等于所述結構構件的厚度。

6.根據權利要求3所述的晶體管結構，其中所述第二電極與所述結構構件間隔開。

7.根據權利要求3所述的晶體管結構，其中所述第一半導體構件直接接觸所述結構構件。

8.根據權利要求3所述的晶體管結構，其中所述第一柵電極直接接觸所述結構構件。

9.根據權利要求1所述的晶體管結構，其中所述第一半導體部分直接接觸所述第一電極的下表面，并且所述第二半導體部分直接接觸所述第二電極的上部。

10.根據權利要求1所述的晶體管結構，其中所述第三半導體部分在所述晶體管結構的剖視圖中相對于所述第一半導體部分以第一角度延伸，并且

其中所述第一角度大于0度并且小于180度。

11.根據權利要求10所述的晶體管結構，其中所述第一角度是90度。

12.根據權利要求1所述的晶體管結構，

其中，所述第二半導體構件進一步包括第六半導體部分；

其中，所述第四半導體部分和所述第五半導體部分通過所述第六半導體部分直接連接，并且

其中，所述第四半導體部分與所述基板之間的最小距離不等于所述第五半導體部分與所述基板之間的最小距離。

13.根據權利要求12所述的晶體管結構，包括：

絕緣膜，所述絕緣膜直接接觸所述第一半導體部分、所述第二半導體部分和所述結構構件。

14.根據權利要求13所述的晶體管結構，進一步包括第二柵電極，所述第二柵電極與所述第二半導體構件重疊。