[發明專利]用于處理腔室的陶瓷涂覆的石英蓋體

有效

• 申請號: 201710294635.0
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107342208B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 伯納德·L·黃
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本公開內容的實施方式包括用于降低處理腔室內的顆粒產生的方法和設備。在一個實施方式中，本發明提供一種用于基板處理腔室的蓋體。蓋體包括：蓋構件，所述蓋構件具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；通過所述蓋構件的中央開口，其中所述中央開口的內輪廓包括具有第一直徑的第一段、具有第二直徑的第二段和具有第三直徑的第三段，其中第二直徑是在第一直徑和第三直徑之間，且第一直徑從第二段朝向蓋構件第一表面增加；和溝槽，所述溝槽沿著第一表面中的封閉路徑形成且具有形成在溝槽的內表面中的凹槽。

技術領域

本公開內容的實施方式通常涉及半導體處理系統。更具體地說，本公開內容的實施方式涉及用于在半導體處理系統中使用的蓋體。

背景技術

集成電路已發展成可在單個芯片上包括幾百萬個部件(例如，晶體管、電容器和電阻器)的復雜裝置。芯片設計的發展持續需要更快的電路和更大的電路密度。對于更大電路密度的要求迫使集成電路部件的尺寸減小。

隨著集成電路部件的尺寸減小(例如，減小至亞微米尺寸)，降低污染物存在的重要性已增加，因為此種污染物可能在半導體制造工藝期間導致缺陷形成。例如，在蝕刻工藝中，例如可能在蝕刻工藝期間產生的聚合體的副產物可能變成污染在半導體基板上形成的集成電路和結構的微粒來源。

在半導體材料處理領域中，例如為了在基板上蝕刻和化學氣相沉積(chemicalvapor deposition；CVD)各種材料，使用了包括真空處理腔室的半導體材料處理裝置。所述工藝的一些工藝在所述處理腔室中使用腐蝕性和侵蝕性工藝氣體和等離子體，諸如氫等離子體。需要最小化在所述處理腔室中處理的基板的顆粒污染。還需要當裝置暴露于所述氣體和等離子體時抗化學侵蝕的所述裝置的等離子體暴露部件。

發明內容

本公開內容的實施方式包括用于降低處理腔室內的顆粒產生的方法和設備。在一個實施方式中，本發明提供一種用于基板處理腔室的蓋體。蓋體包括：蓋構件，所述蓋構件具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；通過所述蓋構件的中央開口，其中所述中央開口的內輪廓包括具有第一直徑的第一段、具有第二直徑的第二段和具有第三直徑的第三段，其中第二直徑是在第一直徑和第三直徑之間，且第一直徑從第二段朝向蓋構件第一表面增加；和溝槽，所述溝槽沿著第一表面中的封閉路徑形成且具有形成在溝槽的內表面中的凹槽。

在另一個實施方式中，提供一種處理腔室。處理腔室包括主體、設置在主體內的基板支撐組件，和覆蓋所述主體的蓋體。蓋體包括：板，所述板具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；通過所述板的中央開口，其所述中央開口具有朝向第一表面增加的內徑；和溝槽，所述溝槽形成在所述第一表面中。處理腔室還包括氣體耦合嵌件(gascoupling insert)，所述氣體耦合嵌件設置在中央開口內且具有經成形以匹配中央開口的內徑的漸縮形(tapered)凸緣。

在又另一個實施方式中，提供了一種用于降低處理腔室內的顆粒產生的方法。所述方法包括：提供腔室蓋體，所述腔室蓋體具有頂表面和平行于所述頂表面的底表面，其中腔室蓋體具有中央開口，且所述中央開口的上部具有朝向頂表面逐漸增加的內徑；噴砂處理(bead blasting)腔室蓋體的底表面；在腔室蓋體的底表面上沉積涂層，其中所述涂層包含含氧化釔的陶瓷或含釔氧化物；在中央開口內設置間隔環，其中所述間隔環具有被成形以匹配中央開口的內徑的外表面；和在間隔環上設置氣體耦合嵌件，其中所述氣體耦合嵌件是圓柱形中空主體，所述圓柱形中空主體具有形成在氣體耦合嵌件底部中的多個軸向通孔，且所述氣體耦合嵌件具有從圓柱形中空主體的外表面向外延伸的圓錐形(conical)凸緣，且其中所述圓錐形凸緣被成形以匹配中央開口的內徑。

附圖說明

以上簡要總結的本公開內容的上述記載的特征可詳細理解的方式，本公開內容的更特定的描述可參考實施方式獲得，所述實施方式的一些實施方式示出在附圖中。

圖1示出根據本公開內容的一個實施方式的處理腔室的示意截面圖。

圖2A示出根據本公開內容的一個實施方式的蓋體的俯視圖。