[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體芯片以及半導(dǎo)體芯片的測試方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710293925.3 | 申請日: | 2017-04-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107393842B | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 政井英樹 | 申請(專利權(quán))人: | 拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 閆小龍;鄭冀之 |
| 地址: | 日本神奈*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 芯片 以及 測試 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,其特征在于,具有:
第一線;
信號(hào)處理電路,將進(jìn)行信號(hào)處理而生成的第一輸出信號(hào)向所述第一線送出;
第一短路用焊盤,連接于所述第一線;
第一輸出焊盤;
輸出線,連接于所述第一輸出焊盤;
半導(dǎo)體芯片,包含第一開關(guān),所述第一開關(guān)在接通狀態(tài)時(shí)將所述第一線與所述輸出線連接而在關(guān)斷狀態(tài)時(shí)切斷所述第一線與所述輸出線的連接;以及
第一布線,在所述半導(dǎo)體芯片的外部將所述第一短路用焊盤與所述第一輸出焊盤短路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,還包含安裝有半導(dǎo)體芯片的膜狀電路基板,其中,
所述第一布線形成于所述膜狀電路基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,所述第一布線為接合線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中,
所述半導(dǎo)體裝置為包含半導(dǎo)體芯片的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝WLCSP,
所述第一布線為所述WLCSP中的再布線層。
5.一種半導(dǎo)體芯片,具有測試模式和通常模式,包含:
信號(hào)處理電路,配置為生成第一~第n輸出信號(hào),其中,n為2以上的整數(shù);
第一~第n輸出焊盤;
第一~第n輸出線,分別將所述信號(hào)處理電路與所述第一~第n輸出焊盤連接,在所述通常模式下,來自所述信號(hào)處理電路的所述第一~第n輸出信號(hào)分別經(jīng)由所述第一~第n輸出線從所述第一~第n輸出焊盤輸出;
短路用焊盤,形成于所述第一輸出線;
共同輸出線,所述共同輸出線的一端連接于所述第一輸出線;
第一~第n開關(guān),所述第一開關(guān)連接在所述短路用焊盤與所述共同輸出線之間,第二~第n開關(guān)的每一個(gè)分別連接在所述第二~第n輸出線的對(duì)應(yīng)的一個(gè)與所述共同輸出線之間,并且,配置為分別根據(jù)所述開關(guān)的每一個(gè)何時(shí)被接通以及關(guān)斷來將所述信號(hào)處理電路與所述共同輸出線連接以及切斷所述信號(hào)處理電路與所述共同輸出線的連接;以及
測試控制部,配置為:對(duì)表示所述測試模式或所述通常模式的測試信號(hào)進(jìn)行接收,在所述測試信號(hào)表示所述測試模式的情況下,將所述第一~第n開關(guān)依次擇一地設(shè)定為接通狀態(tài),并且,在所述測試信號(hào)表示所述通常模式的情況下,將所述第一~第n開關(guān)全部固定為關(guān)斷狀態(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片,還包含:
共同輸出開關(guān),形成于所述共同輸出線;以及
接地開關(guān),連接在所述共同輸出線的另一端與接地電位之間,其中,
所述測試控制部還配置為:在所述測試信號(hào)表示所述測試模式的情況下,將所述共同輸出開關(guān)設(shè)定為接通狀態(tài),并且,將所述接地開關(guān)設(shè)定為關(guān)斷狀態(tài),并且,在所述測試信號(hào)表示所述通常模式的情況下,將所述共同輸出開關(guān)設(shè)定為關(guān)斷狀態(tài),并且,將所述接地開關(guān)設(shè)定為接通狀態(tài)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片,其中,
所述短路用焊盤為第一短路用焊盤,
所述半導(dǎo)體芯片還包含分別形成于所述第二~第n輸出線的第二~第n短路用焊盤。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體芯片,還包含:
第一電阻,連接在所述第一輸出線與第一短路用焊盤之間;以及
第一輸出電阻,連接在所述第一輸出線與所述第一輸出焊盤之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體芯片,其中,所述第一電阻的電阻值與所述第一輸出電阻的電阻值相等。
10.一種半導(dǎo)體裝置,包含:
根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體芯片;以及
布線,將所述短路用焊盤與所述第一輸出焊盤連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置,還包含安裝有所述半導(dǎo)體芯片的膜狀電路基板,
其中,所述布線形成于所述膜狀電路基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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