[發(fā)明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710291264.0
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN107452609B
• 公開（公告）日: 2023-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 關(guān)家一馬
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

提供晶片的加工方法，能夠?qū)M(jìn)行適當(dāng)?shù)胤指畈⑶疑a(chǎn)性較高。一種晶片的加工方法，包含如下的工序：改質(zhì)層形成工序，將對于晶片(11)具有透過性的波長的激光光線(L)會聚在晶片的內(nèi)部并沿著分割預(yù)定線(13)進(jìn)行照射，在晶片的內(nèi)部形成沿著分割預(yù)定線的改質(zhì)層(17)；晶片支承工序，在改質(zhì)層形成工序之前或之后，在晶片的背面(11b)上粘貼具有伸縮性的劃片帶(31)，并將劃片帶的外周部安裝在環(huán)狀的框架(33)上；帶擴(kuò)展工序，對劃片帶進(jìn)行擴(kuò)展；以及空氣吹送工序，在對劃片帶進(jìn)行了擴(kuò)展的狀態(tài)下向晶片吹送空氣(A)，沿著形成有改質(zhì)層的分割預(yù)定線將晶片分割成各個器件芯片，并且將器件芯片彼此的間隔擴(kuò)大。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶片的加工方法，該方法用于將晶片分割成多個芯片。

背景技術(shù)

在將由硅或SiC、藍(lán)寶石等材料構(gòu)成的晶片分割成多個芯片時，例如，使透過性的激光光線會聚而產(chǎn)生多光子吸收，從而將晶片的內(nèi)部局部地改質(zhì)而形成改質(zhì)層(改質(zhì)區(qū)域)(例如，參照專利文獻(xiàn)1、2)。

由于改質(zhì)層比其他的區(qū)域脆，所以之后僅施加較小的力便能夠使晶片斷裂而分割成多個芯片。作為對晶片施加力的方法，例如，具有對粘貼在晶片上的具有伸縮性的劃片帶(擴(kuò)展帶)進(jìn)行擴(kuò)展的方法或?qū)⒌毒咄频钟诰姆指铑A(yù)定線(間隔道)的方法等。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2005-223284號公報

專利文獻(xiàn)2：日本特開2006-12902號公報

但是，在對具有伸縮性的劃片帶進(jìn)行擴(kuò)展的方法中，有時劃片帶的擴(kuò)展量不足而使晶片無法適當(dāng)?shù)財嗔选２⑶遥捎谠摲椒ú贿m合得到較大的力，所以有時也會因晶片的種類而無法完全地斷裂。

另一方面，通過推抵刀具的方法能夠得到使晶片斷裂的足夠大的力。但是，在該方法中，由于必須將刀具推抵于全部的分割預(yù)定線，所以在生產(chǎn)性的方面存在問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是鑒于該問題點(diǎn)而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，生產(chǎn)性較高，能夠?qū)M(jìn)行適當(dāng)?shù)胤指睢?/p>

根據(jù)本發(fā)明的一方式，提供晶片的加工方法，將在由呈格子狀設(shè)定的多條分割預(yù)定線劃分的正面?zhèn)榷鄠€區(qū)域內(nèi)形成有器件的晶片沿著該分割預(yù)定線分割成各個器件芯片，該晶片的加工方法的特征在于，包含如下的工序：改質(zhì)層形成工序，將對于晶片具有透過性的波長的激光光線會聚在晶片的內(nèi)部并沿著該分割預(yù)定線進(jìn)行照射，在晶片的內(nèi)部形成沿著該分割預(yù)定線的改質(zhì)層；晶片支承工序，在該改質(zhì)層形成工序之前或之后，在晶片的背面上粘貼具有伸縮性的劃片帶，并將該劃片帶的外周部安裝在環(huán)狀的框架上；帶擴(kuò)展工序，對該劃片帶進(jìn)行擴(kuò)展；以及空氣吹送工序，在對該劃片帶進(jìn)行了擴(kuò)展的狀態(tài)下向晶片吹送空氣，沿著形成有該改質(zhì)層的該分割預(yù)定線將晶片分割成各個器件芯片，并且將器件芯片彼此的間隔擴(kuò)大。

在本發(fā)明的一方式中，優(yōu)選在該空氣吹送工序中，通過氣刀來吹送空氣。

并且，在本發(fā)明的一方式中，也可以在實(shí)施該改質(zhì)層形成工序之前，實(shí)施如下的背面磨削工序：對在正面上粘貼有保護(hù)部件的晶片的背面進(jìn)行磨削，將晶片加工成規(guī)定的厚度。

并且，在本發(fā)明的一方式中，也可以與該帶擴(kuò)展工序同時地開始進(jìn)行該空氣吹送工序。

根據(jù)本發(fā)明的一方式的晶片的加工方法，由于在對粘貼于晶片的背面的劃片帶進(jìn)行了擴(kuò)展的狀態(tài)下向晶片吹送空氣，所以能夠利用因?qū)澠瑤нM(jìn)行擴(kuò)展而產(chǎn)生的力和因吹送空氣而產(chǎn)生的力來適當(dāng)?shù)胤指罹?/p>

并且，在本發(fā)明的一方式的晶片的加工方法中，只要在對劃片帶進(jìn)行了擴(kuò)展的狀態(tài)下向晶片吹送空氣即可，由于不需要將刀具等推抵于全部的分割預(yù)定線，所以也提高了生產(chǎn)性。這樣，根據(jù)本發(fā)明的一方式，得到了能夠?qū)M(jìn)行適當(dāng)?shù)胤指畹纳a(chǎn)性較高的晶片的加工方法。

并且，在本發(fā)明的一方式的晶片的加工方法中，由于不需要將刀具等推抵于分割預(yù)定線，所以將對晶片進(jìn)行分割時器件芯片破損的可能性抑制得較低。