[發明專利]晶片的加工方法有效
| 申請號: | 201710291264.0 | 申請日: | 2017-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN107452609B | 公開(公告)日: | 2023-04-25 |
| 發明(設計)人: | 關家一馬 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一種晶片的加工方法,將在由呈格子狀設定的多條分割預定線劃分的正面側多個區域內形成有器件的晶片沿著該分割預定線分割成各個器件芯片,該晶片的加工方法的特征在于,包含如下的工序:
改質層形成工序,將對于晶片具有透過性的波長的激光光線會聚在晶片的內部并沿著該分割預定線進行照射,在晶片的內部形成沿著該分割預定線的改質層;
晶片支承工序,在該改質層形成工序之前或之后,在晶片的背面上粘貼具有伸縮性的劃片帶,并將該劃片帶的外周部安裝在環狀的框架上;
帶擴展工序,對該劃片帶進行擴展;以及
空氣吹送工序,在對該劃片帶進行了擴展的狀態下沿著形成有該改質層的該分割預定線向晶片吹送空氣而沿著形成有該改質層的該分割預定線將晶片分割成各個器件芯片,并且將器件芯片彼此的間隔擴大。
2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在該空氣吹送工序中,通過氣刀來吹送空氣。
3.根據權利要求1或2所述的晶片的加工方法,其特征在于,
在實施該改質層形成工序之前,實施如下的背面磨削工序:對在正面上粘貼有保護部件的晶片的背面進行磨削,將晶片加工成規定的厚度。
4.根據權利要求1或2所述的晶片的加工方法,其特征在于,
與該帶擴展工序同時地開始進行該空氣吹送工序。
5.根據權利要求3所述的晶片的加工方法,其特征在于,
與該帶擴展工序同時地開始進行該空氣吹送工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





