[發明專利]MOS器件及其漂移區的制作方法

在審

• 申請號: 201710290698.9
• 申請日: 2017-04-28
• 公開（公告）號: CN106952961A
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 韓廣濤;陸陽;周遜偉
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子(杭州)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/266
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種MOS器件漂移區的制作方法，包括以下步驟：

在襯底表面依次至少淀積第一介質層和第二介質層，形成掩膜層；

通過涂覆膠層曝光打開漂移區的中間位置，利用膠層作為阻擋，對第二介質層進行各向異性刻蝕，并進行第一次漂移區的注入，形成第一摻雜區；

利用涂覆在最后介質層上的膠層作為阻擋，對第二介質層進行各向同性刻蝕；

去除膠層，利用第二介質層進行阻擋，再進行第二次漂移區的注入，形成第二摻雜區；

在襯底上進行氧化物生長，在沒有第二介質層的區域會生長出氧化層，完成氧化層的生長后，則去掉剩余第二介質層；

利用生長出的氧化層之阻擋，進行第三次注入，形成第三摻雜區；

將生長出的氧化層和所述掩膜層去除；

其中，所述第一摻雜區和第二摻雜區的類型相同，二者共同組成線性梯度摻雜的漂移區，所述的第三摻雜區與所述第一摻雜區和第二摻雜區的類型相反。

2.根據權利要求1所述的MOS器件漂移區的制作方法，其特征在于：在形成所述掩膜層或所述第一介質層之前，先進行一次普注，其注入的摻雜類型與所述第三摻雜區相同。

3.根據權利要求2所述的MOS器件漂移區的制作方法，其特征在于：所述的普注的注入深度比所述第三摻雜區深，并在第二摻雜區和第三摻雜區的下方形成第四摻雜區。

4.根據權利要求1或2所述的MOS器件漂移區的制作方法，其特征在于：所述的第一介質層為氧化層，所述第二介質層為氮化硅層。

5.根據權利要求4所述的MOS器件漂移區的制作方法，其特征在于：所述的第一介質層的厚度為50～1000埃，所述的第二介質層的厚度為50～3000埃，所述生長出的氧化層的厚度為300～10000埃。

6.一種MOS器件漂移區的制作方法，包括以下步驟：

在襯底表面依次至少淀積第一介質層、第二介質層和第三介質層，形成掩膜層；

通過涂覆膠層曝光打開漂移區的中間位置，利用膠層作為阻擋，對第二介質層和第三介質層進行各向異性刻蝕，并進行第一次漂移區的注入，形成第一摻雜區；

去掉膠層，并進行第一次退火；利用第三介質層的阻擋，對第二介質層進行各向同性刻蝕；

去除第三介質層，利用第二介質層進行阻擋，再進行第二次漂移區的注入，形成第二摻雜區；

在襯底上進行氧化物生長，在沒有第二介質層的區域會生長出氧化層，完成氧化層的生長后，則去掉剩余第二介質層；

利用生長出的氧化層之阻擋，進行第三次注入，形成第三摻雜區；

將生長出的氧化層和所述掩膜層去除；

其中，所述第一摻雜區和第二摻雜區的類型相同，二者共同組成線性梯度摻雜的漂移區，所述的第三摻雜區與所述第一摻雜區和第二摻雜區的類型相反。

7.根據權利要求6所述的MOS器件漂移區的制作方法，其特征在于：在形成所述掩膜層或所述第一介質層之前，先進行一次普注，其注入的摻雜類型與所述第三摻雜區相同。

8.根據權利要求7所述的MOS器件漂移區的制作方法，其特征在于：所述的普注的注入深度比所述第三摻雜區深，并在第二摻雜區和第三摻雜區的下方形成第四摻雜區。

9.根據權利要求6或7所述的MOS器件漂移區的制作方法，其特征在于：所述的第一介質層為氧化層，所述第二介質層為氮化硅層，所述的第三介質層也為氧化層。

10.根據權利要求6所述的MOS器件漂移區的制作方法，其特征在于：所述的第一介質層的厚度為50～1000埃，所述的第二介質層的厚度為50～3000埃，所述的第三介質層的厚度為50～3000埃，所述生長出的氧化層的厚度為300～10000埃。

11.一種MOS器件的制作方法，其特征在于：其漂移區由以上權利要求1-10的任意一種制作方法制作而成。

12.一種MOS器件，其特征在于：其漂移區由以上權利要求1-10的任意一種制作方法制作而成。