[發明專利]對RF放大器的調節

有效

• 申請號: 201710289912.9
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN108123685B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: L·福格特
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/30;H03F3/19;H03F1/56;H03F3/45
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張昊

本發明涉及對RF放大器的調節，例如，射頻放大器(1)的電源和偏置級(4)，該射頻放大器的放大級(3)包括至少一個MOS晶體管，該MOS晶體管的控制端子被連接到輸入端子(31)，并且該MOS晶體管的第一導電端子被連接到輸出端子(36)，其中，所述晶體管的控制端子的偏置電壓是受控的，其方式為同時以標稱值調節該放大級的電源電壓并且以標稱值調節該放大級的偏置電流。

技術領域

本說明書總體上涉及電子電路，并且更具體地涉及對電源的調節以及對射頻(RF)放大器的偏置。

背景技術

射頻放大器被用于許多應用中以便放大各種數字和模擬信號。具體而言，此類放大器被高頻率地用在用于傳輸無線電信號的應用中。

這些應用中傳輸頻率(現已達到幾十千兆赫)的提升以及其在低消耗應用中與COMS或BiCOMS技術集成對這些應用的生產過程產生了新的限制，特別是在偏置和消耗方面。

發明內容

一個實施例提出了一種RF放大器電路，該RF放大器電路完全或部分地克服了偏置和調節方法的缺點。

一個實施例提出了一種適用于在幾十千兆赫下運行的高頻應用的方案。

因此，一個實施例提供了射頻放大器的電源和偏置級，該射頻放大器的放大級包括至少一個MOS晶體管，該MOS晶體管的控制端子被連接到輸入端子，并且該MOS晶體管的第一導電端子被連接到輸出端子，其中所述晶體管的控制端子的偏置電壓是受控的，其方式為同時以標稱值調節該放大級的電源電壓并且以標稱值調節該放大級的偏置電流。

根據一個實施例，該電源級包括第一放大器，該放大器用于以參考值調節表示該晶體管的該第一導電端子的電壓的信息，該第一放大器的輸出端提供該偏置電壓。

根據一個實施例，該放大級還包括第二放大器，該第二放大器用于以該參考電流調節表示該第一晶體管的該第一導電端子的電壓的信息并且以參考電流調節該偏置電流，該第二放大器的輸出端控制供應該偏置電流的電流源(N51)。

根據一個實施例，這些晶體管中的所有或部分是MOS晶體管。

根據一個實施例，這些晶體管中的所有或部分是雙極型晶體管。

根據一個實施例，該參考電流是由具有固定值的電流源提供的。

一個實施例提供了一種RF放大器，包括：

放大級；以及

電源和偏置級。

一個實施例提供了一種電子電路，該電子電路集成有至少一個RF放大器。

附圖說明

這些特征和優點以及其他將參照附圖在以非限定方式給出的具體實施例的以下說明中進行詳細說明，其中：

圖1是RF放大器集成在其應用環境中的示例的簡化方框圖；

圖2是帶有經調節電壓和電流的RF放大器的簡化方框圖；

圖3以非常示意性的方式并且以方框的形式示出了RF放大器的放大級的一個實施例；

圖4示出了RF放大器的電源和偏置級的實施例的電子電路圖；

圖5示出了RF放大器的電源和偏置級的另一個實施例的電子電路圖；

圖6是圖5中所示的實施例的一個實際示例的更加具體的電子電路圖；

圖7以簡化的方式并且以方框的形式示出了將電源和偏置級(調節/偏置)應用到差分RF放大器中；并且

圖8以簡化的方式并且具體而言以方框的形式示出了RF放大器的另一個實施例。

具體實施方式