[發明專利]對RF放大器的調節

有效

• 申請號: 201710289912.9
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN108123685B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: L·福格特
• 申請（專利權）人: 意法半導體有限公司
• 主分類號: H03F1/02
• 分類號: H03F1/02;H03F1/30;H03F3/19;H03F1/56;H03F3/45
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張昊

1.一種射頻RF放大器，包括：

輸入端子；

輸出端子；

電源和偏置級，包括具有耦合到所述輸入端子的輸出的第一放大器和具有耦合到電流源的輸出的第二放大器；以及

放大級，包括：第一晶體管，具有耦合到所述輸入端子的控制端子、以及耦合到所述輸出端子的第一導電端子，其中所述電源和偏置級被配置為在所述第一晶體管的所述控制端子處產生偏置電壓，以便同時將所述放大級的電源電壓調節到第一電壓以及將所述放大級的偏置電流調節到第一電流，其中所述第一放大器被配置為將所述第一晶體管的第一導電端子調節到所述第一電壓，所述第一放大器被配置為在所述第一放大器的輸出處提供所述偏置電壓，其中所述第二放大器被配置為將所述偏置電壓調節到所述第一電流。

2.根據權利要求1所述的RF放大器，其中所述放大級被配置為基于所述偏置電流的變化產生所述偏置電壓。

3.根據權利要求1所述的RF放大器，其中第一電流是固定電流。

4.根據權利要求1所述的RF放大器，其中所述電流源包括第二晶體管，所述第二晶體管耦合到電源端子、并且具有耦合到所述第二放大器的輸出的柵極。

5.根據權利要求4所述的RF放大器，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管是MOS晶體管。

6.根據權利要求4所述的RF放大器，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管是雙極晶體管。

7.一種電路，包括：

射頻RF放大級，包括第一晶體管，所述第一晶體管具有被配置為接收RF信號的柵極；以及

電源和偏置級，包括：

第一電流源，被配置為產生偏置電流、并且耦合到所述第一晶體管的第一導電端子，以及

第一放大器，具有：

第一輸入，耦合至所述第一晶體管的第一導電端子，

第二輸入，耦合到第一參考電壓節點，所述第一參考電壓節點被配置為接收第一參考電壓，

輸出，耦合到所述第一晶體管的柵極，所述第一放大器被配置為在所述第一放大器的輸出處生成偏置電壓并將所述偏置電壓施加至所述第一晶體管的柵極，

第二晶體管，耦合在所述第一放大器的第一電源端子和所述第二輸入之間，

第二放大器，具有耦合到所述第二晶體管的柵極的輸出，所述第二放大器被配置為將所述第一放大器的所述第二輸入調節到所述第一參考電壓，以及

第二電流源，耦合在所述第二晶體管和第二電源端子之間，其中所述第一電流源包括耦合在所述第一電源端子和所述第一放大器的所述第一輸入之間的第三晶體管，所述第三晶體管的柵極耦合到所述第二放大器的輸出。

8.根據權利要求7所述的電路，其中所述第一放大器被配置為將所述第一晶體管的第一導電端子調節到所述第一參考電壓。

9.根據權利要求8所述的電路，其中所述第一放大器被配置為根據所述偏置電流在所述第一晶體管的柵極處產生所述偏置電壓。

10.根據權利要求7所述的電路，還包括：

第一電容器，耦合在所述第一晶體管的第一導電端子和第二電源端子之間；以及

第二電容器，耦合在所述第一放大器的輸出和所述第二電源端子之間。

11.根據權利要求7所述的電路，其中所述第二電源端子耦合到地。

12.根據權利要求7所述的電路，其中：

第二放大器包括第四晶體管，所述第四晶體管的第一導電端子耦合到所述第二晶體管的第一導電端子，并且第二導電端子耦合到所述第二晶體管的柵極；以及

所述第一放大器包括第五晶體管，所述第五晶體管的第一導電端子耦合到所述第一晶體管的柵極，所述第五晶體管的第二導電端子耦合到所述第一晶體管的所述第一導電端子，以及所述第五晶體管的柵極耦合到所述第四晶體管的柵極，所述第五晶體管的柵極還耦合到第一參考電壓節點。