[發明專利]一種膜層制備方法

在審

• 申請號: 201710288875.X
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107093678A
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 關峰;王大偉
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/00
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種膜層制備方法。

背景技術

在有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，簡稱OLED)顯示裝置中，因構成OLED發光器件的材料對水、氧極為敏感，需要采用高質量的封裝膜層對OLED顯示基板中的OLED發光器件進行防水保護和防氧保護，方能確保OLED發光器件被穩定使用，且使OLED發光器件具有一定的使用壽命。

目前，在OLED顯示裝置內形成封裝膜層時，需利用圖形化的擋板對無需涂覆封裝膜層的非封裝區域進行遮擋，然后采用等離子體增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱PEVCD)方法，在OLED顯示裝置中需要涂覆封裝膜層的封裝區域制備氮化硅膜層或氧化硅膜層作為封裝膜層，以利用封裝膜層對封裝區域的OLED發光器件進行封裝。當然，也可采用原子層沉積(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)方法來制備氮化硅膜層或氧化硅膜層以作為封裝膜層。

然而，在封裝膜層的制備過程中，常用掩膜板作為圖形化的擋板，使得封裝膜層的制備離不開光刻或干刻等工藝，而光刻或干刻等工藝所采用的工序較多，比如一般的光刻工藝要經歷基板清洗烘干、涂覆光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、刻蝕、檢測等工序，導致封裝膜層的制備效率較低。

發明內容

本發明的目的在于提供一種膜層制備方法，用于提高膜層的制備效率。

為了實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

本發明提供一種膜層制備方法，包括：

提供一基板，基板包括功能膜層去除區域和功能膜層保留區域；

在基板的功能膜層去除區域形成敏感材料層；

在基板的功能膜層保留區域和敏感材料層沉積功能膜層；

提供一敏感材料層的敏化條件，敏感材料層在敏化條件下敏化，使得敏感材料層和功能膜層對應敏感材料層的部分從基板去除，得到圖案化的功能膜層。

與現有技術相比，本發明提供的膜層制備方法具有如下有益效果：

本發明提供的膜層制備方法，在基板的功能膜層去除區域形成敏感材料層，而在基板的功能膜層保留區域和敏感材料層沉積功能膜層，使得基板的敏感材料層在敏化條件下敏化后，能夠將功能膜層對應覆蓋敏感材料層的部分去除，得到圖案化的功能膜層。因此可知，本發明提供的膜層制備方法，在沉積功能膜層后，只需要將基板置于敏化條件下，使得基板上的敏化材料層敏化，就能夠制備出圖案化的功能膜層，而無需使用現有技術中諸如光刻等較為繁瑣的工藝，大大簡化了功能膜層的制備工藝，有利于提高功能膜層的制備效率。

此外，現有技術中，當使用ALD工藝沉積功能膜層時，因功能膜層的沉積具有良好的不定向性，即功能膜層在各個方向的反應沉積幾率相等，導致使用擋板對功能膜層去除區域進行遮擋時，不可避免的在擋板與基板之間以及擋板的正反兩面，均存在功能膜層的沉積，出現擋板難以阻擋功能膜層沉積在基板功能膜層去除區域的問題。而本發明提供的膜層制備方法，在功能膜層去除區域形成敏感材料層后，再使用ALD工藝沉積功能膜層，因敏感材料層對功能膜層去除區域的覆蓋作用，使得功能膜層去除區域并不會出現有功能膜層的沉積，然后敏化敏感材料層，將敏感材料層和功能膜層對應敏感材料層的部分從基板去除，便可獲得圖案化的功能膜層，實現敏感材料層對功能膜層去除區域的清潔保護，因此，本發明提供的膜層制備方法，還能解決現有采用ALD工藝沉積功能膜層過程中，利用擋板難以阻擋功能膜層沉積在基板功能膜層去除區域的問題。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1為本發明實施例提供的膜層制備方法的流程圖；

圖2為本發明實施例提供的基板的結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的形成敏感材料層后的基板的結構示意圖；

圖4為本發明實施例提供的沉積功能膜層后的基板的結構示意圖。

附圖標記：

1-基板， 11-功能膜層去除區域，

12-功能膜層保留區域，2-OLED發光器件，

3-敏感材料層， 4-功能膜層。

具體實施方式

為了進一步說明本發明實施例提供的膜層制備方法，下面結合說明書附圖進行詳細描述。