[發明專利]半導體發光模塊及其半導體發光二極管芯片

在審

• 申請號: 201710288411.9
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN108666400A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發明（設計）人: 葉志庭;潘錫明
• 申請（專利權）人: 宏齊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/46
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

本發明公開一種半導體發光模塊及其半導體發光二極管芯片。半導體發光二極管芯片包括一半導體發光結構、一導光結構層以及一反光結構層。半導體發光結構包括一用于產生一投射光源的發光層。導光結構層連接于半導體發光結構。反光結構層連接于導光結構層。發光層所產生的投射光源投向導光結構層與反光結構層。借此，投向導光結構層與反光結構層的投射光源能通過導光結構層與反光結構層的配合，以形成一從導光結構層的一外表面投射而出的廣角光源。

技術領域

本發明涉及一種發光模塊及其發光二極管芯片，特別是涉及一種半導體發光模塊及其半導體發光二極管芯片。

背景技術

發光二極管(LED)在各種電子產品與工業上的應用日益普及，發光二極管所需的能源成本遠低于傳統的白熱燈或熒光燈，這是傳統光源所無法能及的。發光二極管為一固態冷光源，通常會以芯片的形式存在，發光二極管芯片經過封裝之后的尺寸仍然非常輕巧，因此在電子產品體積日益輕薄短小的趨勢之下，發光二極管的需求也與日俱增。然而，傳統的發光二極管芯片無法提供發光角度較大或者發光范圍涵蓋較廣的廣角光源。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，針對現有技術的不足提供一種半導體發光模塊及其半導體發光二極管芯片。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的其中一技術方案是，提供一種半導體發光二極管芯片，其包括：一半導體發光結構、一導光結構層以及一反光結構層。所述半導體發光結構包括多個按序堆疊的半導體材料層，其中，多個所述半導體材料層之中的其中四層分別為一基底層、一n型導電層、一發光層以及一p型導電層。所述導光結構層連接于所述基底層。所述反光結構層連接于所述導光結構層。其中，所述發光層連接于所述n型導電層與所述p型導電層之間，以用于產生一投射光源，且所述導光結構層連接于所述基底層與所述反光結構層之間，以用于接收所述投射光源。其中，所述發光層所產生的所述投射光源投向所述導光結構層與所述反光結構層，且投向所述導光結構層與所述反光結構層的所述投射光源通過所述導光結構層與所述反光結構層的配合，以形成一從所述導光結構層的一外表面投射而出的廣角光源。

更進一步地，所述基底層、所述n型導電層、所述發光層以及所述p型導電層按序堆疊，且所述導光結構層的厚度介于0.4mm至0.8mm之間，其中，所述基底層為一藍寶石材料層，所述n型導電層為一n型氮化鎵材料層，且所述p型導電層為一p型氮化鎵材料層。

更進一步地，所述導光結構層具有一入光面以及一圍繞地連接于所述入光面的圍繞出光面，所述入光面連接于所述基底層，且所述圍繞出光面圍繞地連接于所述基底層與所述反光結構層之間，其中，所述發光層所產生的所述投射光源穿過所述入光面以進入所述導光結構層內，且進入所述導光結構層內的所述投射光源穿過所述圍繞出光面以離開所述導光結構層而形成所述廣角光源。

為了解決上述的技術問題，本發明所采用的另外一技術方案是，提供一種半導體發光模塊，其包括：一電路基板以及一半導體發光二極管芯片。所述半導體發光二極管芯片設置在所述電路基板上，其中，所述半導體發光二極管芯片包括：一半導體發光結構、一導光結構層以及一反光結構層。所述半導體發光結構包括多個按序堆疊的半導體材料層，其中，多個所述半導體材料層之中的其中四層分別為一基底層、一n型導電層、一發光層以及一p型導電層。所述導光結構層連接于所述基底層。所述反光結構層連接于所述導光結構層。其中，所述n型導電層的外側端具有一第一芯片焊墊，且所述n型導電層的所述第一芯片焊墊通過一第一導電單元以電性連接于所述電路基板的一第一基板焊墊。其中，所述p型導電層的外側端具有一第二芯片焊墊，且所述p型導電層的所述第二芯片焊墊通過一第二導電單元以電性連接于所述電路基板的一第二基板焊墊。其中，所述發光層連接于所述n型導電層與所述p型導電層之間，以用于產生一投射光源，且所述導光結構層連接于所述基底層與所述反光結構層之間，以用于接收所述投射光源。其中，所述發光層所產生的所述投射光源投向所述導光結構層與所述反光結構層，且投向所述導光結構層與所述反光結構層的所述投射光源通過所述導光結構層與所述反光結構層的配合，以形成一從所述導光結構層的一外表面投射而出的廣角光源。