[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光模塊及其半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片

在審

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• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN108666400A
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 葉志庭;潘錫明
• 申請（專利權(quán)）人: 宏齊科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/46
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片包括：

一半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括多個按序堆疊的半導(dǎo)體材料層，其中，多個所述半導(dǎo)體材料層之中的其中四層分別為一基底層、一n型導(dǎo)電層、一發(fā)光層以及一p型導(dǎo)電層；

一導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層，所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層連接于所述基底層；以及

一反光結(jié)構(gòu)層，所述反光結(jié)構(gòu)層連接于所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層；

其中，所述發(fā)光層連接于所述n型導(dǎo)電層與所述p型導(dǎo)電層之間，以用于產(chǎn)生一投射光源，且所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層連接于所述基底層與所述反光結(jié)構(gòu)層之間，以用于接收所述投射光源；

其中，所述發(fā)光層所產(chǎn)生的所述投射光源投向所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層與所述反光結(jié)構(gòu)層，且投向所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層與所述反光結(jié)構(gòu)層的所述投射光源通過所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層與所述反光結(jié)構(gòu)層的配合，以形成一從所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層的一外表面投射而出的廣角光源。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述基底層、所述n型導(dǎo)電層、所述發(fā)光層以及所述p型導(dǎo)電層按序堆疊，且所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層的厚度介于0.4mm至0.8mm之間，其中，所述基底層為一藍寶石材料層，所述n型導(dǎo)電層為一n型氮化鎵材料層，且所述p型導(dǎo)電層為一p型氮化鎵材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層具有一入光面以及一圍繞地連接于所述入光面的圍繞出光面，所述入光面連接于所述基底層，且所述圍繞出光面圍繞地連接于所述基底層與所述反光結(jié)構(gòu)層之間，其中，所述發(fā)光層所產(chǎn)生的所述投射光源穿過所述入光面以進入所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層內(nèi)，且進入所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層內(nèi)的所述投射光源穿過所述圍繞出光面以離開所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層而形成所述廣角光源。

4.一種半導(dǎo)體發(fā)光模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體發(fā)光模塊包括：

一電路基板；以及

一半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述電路基板上，其中，所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片包括：

一半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)包括多個按序堆疊的半導(dǎo)體材料層，其中，多個所述半導(dǎo)體材料層之中的其中四層分別為一基底層、一n型導(dǎo)電層、一發(fā)光層以及一p型導(dǎo)電層；

一導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層，所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層連接于所述基底層；以及

一反光結(jié)構(gòu)層，所述反光結(jié)構(gòu)層連接于所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層；

其中，所述n型導(dǎo)電層的外側(cè)端具有一第一芯片焊墊，且所述n型導(dǎo)電層的所述第一芯片焊墊通過一第一導(dǎo)電單元以電性連接于所述電路基板的一第一基板焊墊；

其中，所述p型導(dǎo)電層的外側(cè)端具有一第二芯片焊墊，且所述p型導(dǎo)電層的所述第二芯片焊墊通過一第二導(dǎo)電單元以電性連接于所述電路基板的一第二基板焊墊；

其中，所述發(fā)光層連接于所述n型導(dǎo)電層與所述p型導(dǎo)電層之間，以用于產(chǎn)生一投射光源，且所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層連接于所述基底層與所述反光結(jié)構(gòu)層之間，以用于接收所述投射光源；

其中，所述發(fā)光層所產(chǎn)生的所述投射光源投向所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層與所述反光結(jié)構(gòu)層，且投向所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層與所述反光結(jié)構(gòu)層的所述投射光源通過所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層與所述反光結(jié)構(gòu)層的配合，以形成一從所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層的一外表面投射而出的廣角光源。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光模塊，其特征在于，所述基底層、所述n型導(dǎo)電層、所述發(fā)光層以及所述p型導(dǎo)電層按序堆疊，且所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層的厚度介于0.4mm至0.8mm之間，其中，所述基底層為一藍寶石材料層，所述n型導(dǎo)電層為一n型氮化鎵材料層，且所述p型導(dǎo)電層為一p型氮化鎵材料層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光模塊，其特征在于，所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層具有一入光面以及一圍繞地連接于所述入光面的圍繞出光面，所述入光面連接于所述基底層，且所述圍繞出光面圍繞地連接于所述基底層與所述反光結(jié)構(gòu)層之間，其中，所述發(fā)光層所產(chǎn)生的所述投射光源穿過所述入光面以進入所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層內(nèi)，且進入所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層內(nèi)的所述投射光源穿過所述圍繞出光面以離開所述導(dǎo)光結(jié)構(gòu)層而形成所述廣角光源。