[發明專利]一種方形晶片加工裝置及其工作方法有效
| 申請號: | 201710287024.3 | 申請日: | 2017-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN106941074B | 公開(公告)日: | 2023-03-03 |
| 發明(設計)人: | 林文華 | 申請(專利權)人: | 林文華 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/67;B05C5/02;B05C13/02;B05C11/08;B05B9/04 |
| 代理公司: | 福州科揚專利事務所(普通合伙) 35001 | 代理人: | 羅立君 |
| 地址: | 350000 *** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 方形 晶片 加工 裝置 及其 工作 方法 | ||
本發明涉及一種方形晶片加工裝置,包括座體、罩體、涂膠裝置、抽真空裝置、IPC刻蝕裝置和膠水去邊裝置;所述座體包括支撐臺、設置在支撐臺上的托盤和設置在托盤上可吸附晶片的轉盤;轉盤由一第一電機驅動轉動;所述罩體由一第一液壓驅動裝置驅動升降,罩體底部可與支撐臺密封配合;罩體上設置有進氣閥;所述涂膠裝置包括水平設置可伸縮的進膠管和設置在進膠管一端位于罩體內的出膠口;本發明功能集成化,有效減少成本、加工時間以及操作人數,并且可以排除空氣對晶片涂膠的影響,使方形晶片涂膠更均勻,能夠自動實現膠層的平整,使刻蝕更均勻,并且還有方便拆卸的工裝,有效提高效率。
技術領域
本發明涉及一種方形晶片加工裝置,屬于晶片設備領域。
背景技術
晶片加工過程需要涂膠、刮膠以及IPC刻蝕,現有的晶片加工該工藝由不同的設備實現,成本高,耗時長,并且現有的涂膠機是非真空涂膠,把晶片放在轉盤上進行常壓的密閉或半密閉涂膠,該涂膠過程常見的問題為由于空氣動力學的原因,對方形晶片涂膠時,方形晶片的四個角無法實現均勻涂膠,圓形晶片不會出現這種情況。現有的解決辦法是利用噴膠機將光刻膠霧化,對基片進行噴涂,或加工一個與方形基片大小一致的內凹型圓吸盤,將方形基片嵌入,使之與吸盤形成一個整體。前者設備較昂貴且難以實現薄膠的均勻霧化噴涂,后者每次涂膠后均需清洗吸盤,且由于基片與吸盤無法無縫對接,亦無法完全滿足均勻涂膠;此外,由于離心力的影響,使得涂覆的膠水外邊緣凸起,在后續的工序中需將掩膜板蓋在晶體上,由于凸起的形成,使得掩膜板與晶體間出現了間隙,該間隙造成曝光區域變大。現有技術中為了消除凸起,采用的方法是在涂膠后,將膠水烘干,繼而人工用刀具刮除凸起部分。用刀具刮除膠水凸起效率低且品質不易把控。
發明內容
為了解決上述技術問題,本發明提供一種方形晶片加工裝置及其工作方法;本發明功能集成化,有效減少成本、加工時間以及操作人數,并且可以排除空氣對晶片涂膠的影響,使方形晶片涂膠更均勻,能夠自動實現膠層的平整,使刻蝕更均勻,并且還有方便拆卸的工裝,有效提高效率。
本發明的技術方案如下:
一種方形晶片加工裝置,包括座體、罩體、涂膠裝置、抽真空裝置、IPC刻蝕裝置和膠水去邊裝置;所述座體包括支撐臺、設置在支撐臺上的托盤和設置在托盤上可吸附晶片的轉盤;轉盤由一第一電機驅動轉動;所述罩體由一第一液壓驅動裝置驅動升降,罩體底部可與支撐臺密封配合;罩體上設置有進氣閥;所述涂膠裝置包括水平設置可伸縮的進膠管和設置在進膠管一端位于罩體內的出膠口;所述進膠管一端密封滑動穿入罩體內,另一端連通一進膠裝置;所述抽真空裝置包括設置在罩體外的抽真空泵和抽真空管;抽真空管一端連接抽真空泵,另一端固定在罩體上且連通罩體內空間;所述IPC刻蝕裝置包括設置在罩體內頂端的工作氣體進氣口和功率源;所述膠水去邊裝置包括設置在罩體內的刮膠裝置,所述刮膠裝置包括水平設置在罩體內可伸縮的操作臂、固定于操作臂自由端的溶劑噴頭以及與溶劑噴頭連通的溶劑噴霧裝置。
其中,所述支撐臺上設置有一與托盤配合的凹槽;托盤由一設置在凹槽底部的第二液壓驅動裝置驅動升降,使托盤的位置可在凹槽內外切換;所述凹槽頂部設置有開合板;開合板與凹槽密封配合,開合板上設置有可緩慢向凹槽內漏氣的單向穩壓閥;所述支撐臺上設置有卡槽;卡槽內設置有密封墊片;卡槽與罩體下端密封配合。
其中,所述底座側壁上設置有觀察窗;所述觀察窗上貼覆有減光膜;所述轉盤外圓周面上設置有外齒;所述第一電機的轉軸上固定有與外齒配合的齒輪;所述托盤包括上盤、下盤以及設置在上盤和下盤之間的圓形電致伸縮層;所述電致伸縮層由多塊相同的電致伸縮扇形拼接而成;電致伸縮扇形分別由一電路控制沿厚度方向伸縮。
其中,所述溶劑噴頭與操作臂交界處下方豎直設置有一與溶劑噴頭等寬度的隔離擋板,所述隔離擋板其中一端設有一延伸部,所述延伸部上連接有擦膠輥筒,所述擦膠輥筒表面覆蓋有吸水性材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





