[發明專利]磁場提供裝置、磁控濺射設備及磁控濺射的方法

有效

• 申請號: 201710286637.5
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107012440B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 杜建華;王鑫
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;劉偉

本發明提供一種磁場提供裝置、磁控濺射設備及磁控濺射的方法。該裝置包括：多個磁場檢測元件，在一檢測平面內呈陣列分布，用于檢測所述檢測平面內不同位置的磁場強度；多個磁鐵單元，分別與所述檢測平面相對設置，多個磁場檢測元件位于所述磁鐵單元的磁場中；多個調節結構，每一磁鐵單元分別與一個調節結構相連接，通過調節結構，所述磁鐵單元相對于檢測平面的距離變化，以調節磁場檢測元件檢測獲得的磁場強度，所述檢測平面上的磁場強度均勻。本發明所述裝置，利用磁場檢測元件檢測距離磁鐵單元預定距離的檢測平面上的磁場強度，利用與磁鐵單元相連接的調節結構實現對檢測平面位置處磁場強度的調節，能夠在檢測平面上獲得均勻磁場強度。

技術領域

本發明涉及顯示器制造工藝技術領域，尤其是指一種磁場提供裝置、磁控濺射設備及磁控濺射的方法。

背景技術

磁控濺射是物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)的一種，一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多種材料，例如顯示器制造中的金屬薄膜沉積則正是采用磁控濺射工藝實現的其中一種實施例，采用該工藝具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點。

磁控濺射根據工藝上的不同包括多個種類，但通常工作原理為：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶材表面附近成螺旋狀運行，以增大電子撞擊氬氣產生離子的概率，所產生的離子在電場作用下撞向靶材的靶面從而使靶材發生濺射。

基于上述原理，在進行磁控濺射時需要使靶材處于均勻磁場環境下，提供均勻磁場為靶材能夠均勻濺射的重要條件。目前磁控濺射中通常采用條形磁鐵，但采用條形磁鐵進行濺射時，由于磁鐵兩端磁感應線密度大于中間磁感應線密度，磁鐵作高速運動所形成磁場，磁鐵兩端位置的磁場強度會高于磁鐵中間位置的磁場強度，從而導致整個磁場不是均勻磁場，使得磁控濺射所形成薄膜中間薄兩邊厚，而靶材長期使用會形成邊緣位置相對于中間位置消耗過快，留下深坑，造成壽命降低的問題。

發明內容

本發明技術方案的目的是提供一種磁場提供裝置、磁控濺射設備及磁控濺射的方法，解決現有技術磁控濺射工藝中的磁鐵所形成磁場不是均勻磁場的問題。

本發明提供一種磁場提供裝置，其中，所述磁場提供裝置包括：

多個磁場檢測元件，在一檢測平面內呈陣列分布，用于檢測所述檢測平面內不同位置的磁場強度；

多個磁鐵單元，分別與所述檢測平面相對設置，多個所述磁場檢測元件位于所述磁鐵單元的磁場中；

多個調節結構，每一所述磁鐵單元分別與一個所述調節結構相連接，通過所述調節結構，所述磁鐵單元相對于所述檢測平面的距離變化，以調節所述磁場檢測元件檢測獲得的磁場強度，使所述檢測平面上的磁場強度均勻。

優選地，所述的磁場提供裝置，其中，所述磁場提供裝置還包括：

控制器，分別與所述調節結構和所述磁場檢測元件相連接，所述控制器用于獲取所述磁場檢測元件檢測的磁場強度，當至少兩個所述磁場檢測元件檢測獲得磁場強度的差值大于預設數值時，向部分所述磁鐵單元相連接的所述調節結構發出控制信號；

其中，所述調節結構根據所述控制信號，調節相連接所述磁鐵單元相對于所述檢測平面的距離，使距離調節后每兩個所述磁場檢測元件檢測獲得磁場強度的差值均小于等于所述預設數值。

優選地，所述的磁場提供裝置，其中，所述磁場提供裝置還包括：

翻轉驅動結構，用于當所述檢測平面上的磁場強度均勻后，驅動所述磁鐵單元從與所述檢測平面相對的第一狀態翻轉至與一設置平面相對的第二狀態，其中所述設置平面平行于所述檢測平面，所述磁鐵單元位于所述設置平面與所述檢測平面之間，且每一所述磁鐵單元，在所述第一狀態時與所述檢測平面之間的垂直距離等于在所述第二狀態時與所述設置平面之間的垂直距離。