[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201710286361.0
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107452797B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發明（設計）人: 金潤載;金哲;孫龍勛;劉真赫;鄭宇陳
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

本公開涉及半導體器件。一種半導體器件包括具有有源圖案的襯底、交叉有源圖案的導電圖案、在導電圖案的至少一個側表面上的間隔物結構、以及在導電圖案上的封蓋結構。封蓋結構包括第一封蓋圖案和第二封蓋圖案。第二封蓋圖案設置在第一封蓋圖案的頂表面和間隔物結構的頂表面上。

技術領域

本發明構思涉及半導體器件和制造其的方法。更具體地，本發明構思涉及場效應晶體管的柵結構和制造其的方法。

背景技術

由于高性能、小尺寸和/或低制造成本特性，在電子產業中，半導體器件已經作為必不可少的器件被使用。半導體器件被分類為用于存儲邏輯數據的半導體存儲器件、用于處理邏輯數據的半導體邏輯器件以及包括存儲元件和邏輯元件的混合半導體器件。隨著電子產業高度發展，對高速、高可靠性和多功能的半導體器件的需求一直在增長。為了滿足這些特性，半導體器件已經變得高度集成，并且半導體器件的內部結構已經變得高度復雜。

發明內容

根據本發明構思，提供一種半導體器件，其包括：具有有源圖案的襯底；交叉有源圖案的導電圖案；導電圖案的側表面中的至少一個中的每一個上的各自的間隔物結構，間隔物結構具有頂表面；以及在導電圖案上的封蓋結構，其中封蓋結構包括第一封蓋圖案和第二封蓋圖案，第一封蓋圖案具有頂表面，并且第二封蓋圖案設置在第一封蓋圖案的頂表面上以及間隔物結構的頂表面上。

根據本發明構思，還提供一種半導體器件，其包括具有有源圖案的襯底、交叉有源圖案的導電圖案、以及在導電圖案上的封蓋結構，其中封蓋結構包括第一封蓋圖案和在第一封蓋圖案上的第二封蓋圖案，第一封蓋圖案具有凹口，第二封蓋圖案具有當與第一封蓋圖案嚙合時被容納在凹口中的凸起，以及第二封蓋圖案的寬度大于第一封蓋圖案的寬度。

根據本發明構思，還提供一種制造半導體器件的方法，其包括：在襯底上形成交叉有源圖案的導電圖案，在導電圖案的彼此相反的側表面上形成間隔物層，在導電圖案和間隔物層上形成第一封蓋層，使第一封蓋層和間隔物層凹陷在絕緣材料內以形成第一封蓋圖案和間隔物結構，以及在第一封蓋圖案的頂表面和間隔物結構的頂表面上形成第二封蓋圖案。

根據本發明構思，還提供一種半導體器件，其包括：襯底，其具有包括源極/漏極(S/D)區的有源圖案；在襯底上的層間絕緣層；層間絕緣層內在交叉有源圖案的第一方向上縱向地延伸的至少一個導電圖案；導電圖案的側表面中的至少一個中的每一個上的各自的間隔物結構；導電圖案上的封蓋結構；以及接觸結構，其在層間絕緣層中垂直地延伸到S/D區，其中接觸結構包括電連接到S/D區的導電構件，封蓋結構包括第一封蓋圖案和第二封蓋圖案，第二封蓋圖案具有設置在第一封蓋圖案的頂表面上的第一部分和在間隔物結構的頂表面上的第二部分，接觸結構依靠著間隔物結構和第二封蓋圖案的第二部分設置，以及第二封蓋圖案是相對于層間絕緣層的材料具有蝕刻選擇性的材料。

附圖說明

圖1是示出根據本發明構思一示例的半導體器件的透視圖。

圖2是沿圖1的線A-A'截取的剖視圖。

圖3是示出根據本發明構思一示例的半導體器件的俯視圖。

圖4A、4B和4C分別是沿圖3的線A-A'、B-B'和C-C'截取的剖視圖。

圖5是圖4A的區域“M”的放大剖視圖。

圖6A、6B和6C是圖4A的區域“N”的放大剖視圖。

圖7、9、11、13、15、17、19、21、23和25是示出根據本發明構思一示例的制造半導體器件的方法的俯視圖。