[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710286361.0
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107452797B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金潤載;金哲;孫龍勛;劉真赫;鄭宇陳
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 張波

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，其具有有源圖案；

導(dǎo)電圖案，其交叉所述有源圖案，所述導(dǎo)電圖案具有彼此相反的側(cè)表面；

所述導(dǎo)電圖案的所述側(cè)表面中的至少一個中的每一個上的各自的間隔物結(jié)構(gòu)，所述間隔物結(jié)構(gòu)具有頂表面；以及

封蓋結(jié)構(gòu)，其在所述導(dǎo)電圖案上，

其中所述封蓋結(jié)構(gòu)包括第一封蓋圖案和第二封蓋圖案，所述第一封蓋圖案具有頂表面，

所述第二封蓋圖案設(shè)置在所述第一封蓋圖案的所述頂表面上和所述間隔物結(jié)構(gòu)的所述頂表面上，所述第二封蓋圖案覆蓋所述間隔物結(jié)構(gòu)的整個所述頂表面但是不延伸超過所述間隔物結(jié)構(gòu)，

其中所述第一封蓋圖案具有在其頂表面中的一個凹口并且所述第一封蓋圖案的所述頂表面的除了所述一個凹口之外的部分與所述間隔物結(jié)構(gòu)的所述頂表面共面，

其中在與所述襯底的上表面平行的方向上，所述第二封蓋圖案具有比所述第一封蓋圖案的寬度和所述導(dǎo)電圖案的寬度更大的寬度，以及

其中所述第一封蓋圖案的介電常數(shù)小于所述第二封蓋圖案的介電常數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中在所述導(dǎo)電圖案的所述彼此相反的側(cè)表面中的每一個上設(shè)置所述各自的間隔物結(jié)構(gòu)，使得一對間隔物結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述導(dǎo)電圖案的所述彼此相反的側(cè)表面上，以及

所述第一封蓋圖案插置在所述一對間隔物結(jié)構(gòu)之間。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述間隔物結(jié)構(gòu)的所述頂表面高于所述導(dǎo)電圖案的頂表面。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述導(dǎo)電圖案在第一方向上縱向地延伸，以及

所述第一封蓋圖案和所述第二封蓋圖案沿著所述導(dǎo)電圖案在所述第一方向上縱向地延伸。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二封蓋圖案的側(cè)表面的一端與所述間隔物結(jié)構(gòu)的側(cè)表面的一端相接。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述封蓋結(jié)構(gòu)還包括所述第一封蓋圖案與所述第二封蓋圖案之間的包括氧化物層的絕緣圖案。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第一封蓋圖案的所述頂表面與所述間隔物結(jié)構(gòu)的所述頂表面共面。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述間隔物結(jié)構(gòu)包括第一間隔物、第二間隔物以及第三間隔物，

所述第二間隔物插置在所述第一間隔物與所述第三間隔物之間，以及

所述第二間隔物的介電常數(shù)低于所述第一間隔物和所述第三間隔物中的每一個的介電常數(shù)。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二間隔物在垂直于所述導(dǎo)電圖案的其上設(shè)置所述間隔物結(jié)構(gòu)的所述側(cè)表面的方向上的寬度大于所述第一間隔物和所述第三間隔物中的每一個的寬度。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二間隔物的氧濃度大于所述第一間隔物和所述第三間隔物中的每一個的氧濃度。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

層間絕緣層，其覆蓋所述封蓋結(jié)構(gòu)；以及

有源接觸，其延伸穿過所述層間絕緣層，

其中所述第二封蓋圖案具有接觸所述有源接觸的，相對于垂直方向傾斜的側(cè)表面，所述垂直方向垂直于所述襯底的上表面，以及

所述第二封蓋圖案具有在平行于所述襯底的所述上表面的方向上的，隨著沿所述垂直方向遠離所述襯底的所述上表面而減小的寬度。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述有源圖案包括具有頂部以及彼此相反的側(cè)的溝道區(qū)，以及所述導(dǎo)電圖案覆蓋所述溝道區(qū)的所述頂部和所述彼此相反的側(cè)。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述有源圖案包括溝道區(qū)，

所述溝道區(qū)包括彼此垂直地間隔開的半導(dǎo)體圖案，以及

所述導(dǎo)電圖案圍繞所述半導(dǎo)體圖案。