[發(fā)明專利]包括垂直溝道的薄膜晶體管以及使用其的顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710286203.5
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107369691B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金志訓(xùn);梁伸赫;金斗鉉;李光洙;鄭仁永
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H10K59/12;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L23/64
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng)

提供了一種薄膜晶體管和一種顯示設(shè)備。所述薄膜晶體管包括基底和設(shè)置在基底上的柵電極。柵電極包括中心部和被構(gòu)造為至少部分地圍繞中心部的外圍部。薄膜晶體管還包括設(shè)置在柵電極下面的柵極絕緣層和與柵電極通過柵極絕緣層絕緣的第一電極。第一電極使其至少一部分與中心部疊置。薄膜晶體管另外包括設(shè)置在第一電極下面的間隔件和與第一電極通過間隔件絕緣的第二電極。第二電極使其至少一部分與外圍部疊置。薄膜晶體管還包括連接到第一電極和第二電極并且與柵電極通過柵極絕緣層絕緣的半導(dǎo)體層。

本申請要求于2016年5月12日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2016-0058192號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例涉及一種薄膜晶體管以及使用該薄膜晶體管的顯示設(shè)備，更具體地，涉及一種包括垂直溝道的薄膜晶體管以及使用該薄膜晶體管的顯示設(shè)備。

背景技術(shù)

顯示設(shè)備是用于視覺上顯示圖像的設(shè)備。顯示設(shè)備的類型可以包括液晶顯示器、電泳顯示器、有機(jī)發(fā)光顯示器、無機(jī)發(fā)光顯示器、場發(fā)射顯示器、表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器、等離子體顯示器、陰極射線顯示器等。

顯示設(shè)備可以包括顯示器件、薄膜晶體管、將這些組件彼此連接的布線等。具有高完整性和高性能的薄膜晶體管已經(jīng)用于實(shí)現(xiàn)由顯示設(shè)備顯示的更高分辨率的圖像。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，薄膜晶體管包括基底和設(shè)置在基底上的柵電極。柵電極包括中心部和被構(gòu)造為至少部分圍繞中心部的外圍部。薄膜晶體管還包括設(shè)置在柵電極下面的柵極絕緣層和與柵電極通過柵極絕緣層絕緣的第一電極。第一電極使其至少一部分與中心部疊置。薄膜晶體管另外包括設(shè)置在第一電極下面的間隔件和與第一電極通過間隔件絕緣的第二電極。第二電極使其至少一部分與外圍部疊置。薄膜晶體管還包括連接到第一電極和第二電極并與柵電極通過柵極絕緣層絕緣的半導(dǎo)體層。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，外圍部連接到中心部的一側(cè)，外圍部根據(jù)中心部的形狀與中心部均勻地分開，并且被構(gòu)造為至少部分地圍繞中心部的周邊。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，中心部具有圓形形狀、橢圓形形狀或多邊形形狀。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，外圍部被構(gòu)造為圍繞中心部的周邊。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，中心部和第一電極以及設(shè)置在中心部與第一電極之間的柵極絕緣層形成電容器。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體層被構(gòu)造為覆蓋第一電極的一部分和第二電極的至少一部分，并且在與基底的上表面垂直的方向上將第一電極和第二電極彼此連接。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，第一電極與第二電極的至少一部分疊置。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，間隔件包括孔。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，第一電極包括孔。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，柵電極和柵極絕緣層具有相同的平面形狀。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，薄膜晶體管還包括被構(gòu)造為覆蓋柵電極的保護(hù)層。保護(hù)層是橫跨基底的整個表面的整體連接體。

在本發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例中，半導(dǎo)體層包括氧化物半導(dǎo)體。