[發明專利]包括垂直溝道的薄膜晶體管以及使用其的顯示設備

有效

• 申請號: 201710286203.5
• 申請日: 2017-04-27
• 公開（公告）號: CN107369691B
• 公開（公告）日: 2023-06-09
• 發明（設計）人: 金志訓;梁伸赫;金斗鉉;李光洙;鄭仁永
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H10K59/12;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;H01L23/64
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強

1.一種顯示設備，所述顯示設備包括薄膜晶體管、平坦化層、像素電極、對電極和中間層，所述薄膜晶體管包括：

基底；

柵電極，包括中心部和被構造為至少部分圍繞所述中心部的外圍部，其中，所述柵電極包括設置在所述中心部與所述外圍部之間的開口，并且所述開口至少部分圍繞所述柵電極的所述中心部；

柵極絕緣層，設置在所述柵電極下面；

第一電極，與所述柵電極通過所述柵極絕緣層絕緣，并使其至少一部分與所述中心部疊置；

間隔件，設置在所述第一電極下面；

第二電極，與所述第一電極通過所述間隔件絕緣，并使其至少一部分與所述外圍部疊置；以及

半導體層，連接到所述第一電極和所述第二電極，并與所述柵電極通過所述柵極絕緣層絕緣，

其中，所述平坦化層被構造為覆蓋所述薄膜晶體管，

所述像素電極設置在所述平坦化層上并電連接到所述第一電極或所述第二電極，

所述對電極設置在所述像素電極上，

所述中間層設置在所述像素電極與所述對電極之間。

2.根據權利要求1所述的顯示設備，所述顯示設備還包括第一電容器，所述第一電容器包括：

第三電極，與所述第一電極包括相同的材料；

第四電極，與所述第二電極包括相同的材料；以及

第一絕緣層，設置在所述第三電極與所述第四電極之間，并與所述間隔件包括相同的材料。

3.根據權利要求1所述的顯示設備，所述顯示設備還包括第二電容器，所述第二電容器包括：

第五電極，與所述第一電極包括相同的材料；

第六電極，與所述柵電極包括相同的材料；以及

第二絕緣層，設置在所述第五電極與所述第六電極之間，并與所述柵極絕緣層包括相同的材料。

4.根據權利要求1所述的顯示設備，所述顯示設備還包括像素限定層，所述像素限定層被構造為暴露所述像素電極的中心區域并覆蓋所述像素電極的外圍區域。

5.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述中間層包括有機發光層。

6.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述外圍部連接到所述中心部的一側，所述外圍部根據所述中心部的形狀與所述中心部均勻地分開，并且被構造為至少部分地圍繞所述中心部的外圍。

7.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述中心部、所述第一電極和設置在所述中心部與所述第一電極之間的所述柵極絕緣層形成電容器。

8.根據權利要求1所述的顯示設備，其中，所述半導體層被構造為覆蓋所述第一電極的一部分和所述第二電極的至少一部分，并且在與所述基底的上表面垂直的方向上連接所述第一電極和所述第二電極。

9.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：

基底；

底電極，設置在所述基底上；

上電極，設置在所述底電極上并與所述底電極部分疊置；

間隔件，設置在所述底電極與所述上電極之間；

半導體層，覆蓋所述底電極的部分和所述上電極的部分，并豎直延伸以連接所述底電極和所述上電極；以及

柵電極，設置在所述上電極上，其中，所述柵電極與所述上電極和所述半導體層通過柵極絕緣層絕緣，其中，所述柵電極包括中心部和外圍部，所述中心部與所述上電極部分疊置，所述外圍部與所述底電極部分疊置，并且所述柵電極包括設置在所述中心部與所述外圍部之間的開口，并且所述開口至少部分圍繞所述柵電極的所述中心部。

10.根據權利要求9所述的薄膜晶體管，其中，所述柵電極、所述上電極和所述柵極絕緣層形成電容器。