[發(fā)明專利]氧化錫電極推進(jìn)量的獲取方法和裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710284132.5
• 申請(qǐng)日: 2017-04-26
• 公開（公告）號(hào): CN107129130B
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李青;穆美強(qiáng);蘇記華;趙玉樂;王光祥;韓軍;魏猛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東旭（營(yíng)口）光電顯示有限公司;鄭州旭飛光電科技有限公司;東旭光電科技股份有限公司;東旭集團(tuán)有限公司
• 主分類號(hào): C03B5/16
• 分類號(hào): C03B5/16;C03B5/02
• 代理公司: 北京英創(chuàng)嘉友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11447
• 代理人: 魏嘉熹;南毅寧

本公開提出了一種氧化錫電極推進(jìn)量的獲取方法和裝置，涉及玻璃制造領(lǐng)域，應(yīng)用于玻璃窯爐，其特征在于，玻璃窯爐包括氧化錫電極和池壁磚，該方法包括：根據(jù)原材料中氧化錫的引入量、玻璃窯爐氧化錫的流出量、氧化錫的揮發(fā)量獲取氧化錫電極的侵蝕量。根據(jù)氧化鋯的流出量，獲取池壁磚的侵蝕量。根據(jù)氧化錫電極的侵蝕量和池壁磚的侵蝕量，獲取氧化錫電極相對(duì)于池壁磚的推進(jìn)量。本公開能夠使氧化錫電極與池壁磚保持平齊，提高玻璃窯爐的工作效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及玻璃制造領(lǐng)域，尤其涉及一種氧化錫電極推進(jìn)量的獲取方法和裝置。

背景技術(shù)

在使用玻璃窯爐制造玻璃基板時(shí)，通過電極來加熱來熔化原材料，而原材料中的氧化錫會(huì)對(duì)氧化錫電極暴露在窯爐中的部分造成侵蝕，因此需要推進(jìn)氧化錫電極使玻璃窯爐能夠正常工作。然而，玻璃窯爐的池壁磚在制造玻璃基板的過程中也會(huì)被侵蝕，使得推進(jìn)后的氧化錫電極突出池壁磚。

發(fā)明內(nèi)容

本公開提供一種氧化錫電極推進(jìn)量的獲取方法和裝置，用以解決玻璃窯爐的池壁磚被侵蝕后，氧化錫電極推進(jìn)量產(chǎn)生偏差的問題。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本公開實(shí)施例的第一方面，提供一種氧化錫電極推進(jìn)量的獲取方法，應(yīng)用于玻璃窯爐，其特征在于，所述玻璃窯爐包括氧化錫電極和池壁磚，所述方法包括：

根據(jù)原材料中氧化錫的引入量、所述玻璃窯爐氧化錫的流出量、氧化錫的揮發(fā)量獲取所述氧化錫電極的侵蝕量；

根據(jù)所述氧化鋯的流出量，獲取所述池壁磚的侵蝕量；

根據(jù)所述氧化錫電極的侵蝕量和所述池壁磚的侵蝕量，獲取所述氧化錫電極相對(duì)于所述池壁磚的推進(jìn)量。

可選的，所述氧化錫電極為N組氧化錫電極，所述玻璃窯爐按照所述N組氧化錫電極劃分為N個(gè)區(qū)，其中N為正整數(shù)；

所述根據(jù)原材料中氧化錫的引入量、所述玻璃窯爐氧化錫的流出量、氧化錫的揮發(fā)量獲取所述氧化錫電極的侵蝕量，包括：

根據(jù)所述氧化錫的引入量、所述氧化錫的流出量、所述氧化錫的揮發(fā)量以及所述N個(gè)區(qū)中每個(gè)區(qū)的電極侵蝕比例系數(shù)，獲取所述每個(gè)區(qū)的氧化錫電極侵蝕量；

所述根據(jù)所述氧化鋯的流出量，獲取所述池壁磚的侵蝕量，包括：

根據(jù)所述玻璃窯爐氧化鋯的流出量和所述N個(gè)區(qū)中每個(gè)區(qū)的池壁磚侵蝕比例系數(shù)，獲取所述每個(gè)區(qū)的池壁磚侵蝕量；

所述根據(jù)所述氧化錫電極的侵蝕量和所述池壁磚的侵蝕量，獲取所述氧化錫電極相對(duì)于所述池壁磚的推進(jìn)量，包括：

根據(jù)所述每個(gè)區(qū)的氧化錫電極侵蝕量和所述每個(gè)區(qū)的池壁磚侵蝕量，獲取所述每個(gè)區(qū)的氧化錫電極相對(duì)于該區(qū)域的池壁磚的推進(jìn)量。

可選的，所述根據(jù)所述氧化錫的引入量、所述氧化錫的流出量、所述氧化錫的揮發(fā)量以及所述N個(gè)區(qū)中每個(gè)區(qū)的電極侵蝕比例系數(shù)，獲取所述每個(gè)區(qū)的氧化錫電極侵蝕量，包括：

根據(jù)所述氧化錫的引入量、所述氧化錫的流出量和所述氧化錫的揮發(fā)量，獲取所述氧化錫電極組的總侵蝕量；

根據(jù)所述氧化錫電極組的總侵蝕量，以及所述N個(gè)區(qū)中每個(gè)區(qū)的電極侵蝕比例系數(shù)，獲取所述每個(gè)區(qū)的氧化錫電極侵蝕量。

可選的，所述根據(jù)所述玻璃窯爐氧化鋯的流出量和所述N個(gè)區(qū)中每個(gè)區(qū)的池壁磚侵蝕比例系數(shù)，獲取所述每個(gè)區(qū)的池壁磚侵蝕量，包括：

根據(jù)所述氧化鋯的流出量，獲取所述池壁磚的總侵蝕量；

根據(jù)所述池壁磚的總侵蝕量，以及所述N個(gè)區(qū)中每個(gè)區(qū)的池壁磚侵蝕比例系數(shù)，獲取所述每個(gè)區(qū)的池壁磚侵蝕量。

可選的，所述根據(jù)所述氧化錫的引入量、所述氧化錫的流出量和所述氧化錫的揮發(fā)量，獲取所述氧化錫電極組的總侵蝕量，包括：