[發明專利]氧化錫電極推進量的獲取方法和裝置有效
| 申請號： | 201710284132.5 | 申請日： | 2017-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN107129130B | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發明（設計）人： | 李青;穆美強;蘇記華;趙玉樂;王光祥;韓軍;魏猛 | 申請（專利權）人： | 東旭（營口）光電顯示有限公司;鄭州旭飛光電科技有限公司;東旭光電科技股份有限公司;東旭集團有限公司 |
| 主分類號： | C03B5/16 | 分類號： | C03B5/16;C03B5/02 |
| 代理公司： | 北京英創嘉友知識產權代理事務所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 魏嘉熹;南毅寧 |
| 地址： | 115003 遼寧省*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 電極 推進 獲取 方法 裝置 | ||
1.一種氧化錫電極推進量的獲取方法，應用于玻璃窯爐，其特征在于，所述玻璃窯爐包括氧化錫電極和池壁磚，所述方法包括：
根據原材料中氧化錫的引入量、所述玻璃窯爐氧化錫的流出量、氧化錫的揮發量獲取所述氧化錫電極的侵蝕量；
根據氧化鋯的流出量，獲取所述池壁磚的侵蝕量；
根據所述氧化錫電極的侵蝕量和所述池壁磚的侵蝕量，獲取所述氧化錫電極相對于所述池壁磚的推進量；
所述氧化錫電極為N組氧化錫電極，所述玻璃窯爐按照所述N組氧化錫電極劃分為N個區，其中N為正整數；
所述根據原材料中氧化錫的引入量、所述玻璃窯爐氧化錫的流出量、氧化錫的揮發量獲取所述氧化錫電極的侵蝕量，包括：
根據所述氧化錫的引入量、所述氧化錫的流出量和所述氧化錫的揮發量，獲取氧化錫電極組的總侵蝕量；
根據所述氧化錫電極組的總侵蝕量以及所述N個區中每個區的電極侵蝕比例系數，利用預設的區域電極侵蝕量算法，獲取所述每個區的氧化錫電極侵蝕量；
所述預設的區域電極侵蝕量算法包括：
其中，Sner表示所述氧化錫電極組的總侵蝕量，Sni表示第i個區的氧化錫電極侵蝕量，D表示氧化錫電極總的橫截面積，ki表示所述第i個區電極侵蝕比例系數，1≤i≤N；
所述根據氧化鋯的流出量，獲取所述池壁磚的侵蝕量，包括：
根據所述氧化鋯的流出量，獲取所述池壁磚的總侵蝕量；
根據所述池壁磚的總侵蝕量，以及所述N個區中每個區的池壁磚侵蝕比例系數，利用預設的區域池壁磚侵蝕量算法，獲取所述每個區的池壁磚侵蝕量；
其中，所述預設的區域池壁磚侵蝕量算法包括：
其中，Zrer表示所述池壁磚的總侵蝕量，Zri表示第i個區的池壁磚侵蝕量，F表示池壁磚總的表面積，ji表示所述第i個區的池壁磚侵蝕比例系數，1≤i≤N；
所述根據所述氧化錫電極的侵蝕量和所述池壁磚的侵蝕量，獲取所述氧化錫電極相對于所述池壁磚的推進量，包括：
根據所述每個區的電極侵蝕量和所述每個區的池壁磚侵蝕量，利用預設的推進量算法獲取所述每個區的氧化錫電極相對于該區域的池壁磚的推進量；
其中，所述預設的推進量算法包括：
Si＝Sni-Zri
其中，Si表示第i個區的氧化錫電極相對于所述第i個區的池壁磚的推進量，Sni表示所述第i個區的氧化錫電極侵蝕量，Zri表示所述第i個區的池壁磚侵蝕量，1≤i≤N。
2.根據權利要求1所述的方法，所述根據所述氧化錫的引入量、所述氧化錫的流出量和所述氧化錫的揮發量，獲取氧化錫電極組的總侵蝕量，包括：
根據所述氧化錫的引入量、所述氧化錫的流出量和所述氧化錫的揮發量，利用預設的電極總侵蝕量算法獲取所述氧化錫電極組的總侵蝕量；
其中，所述預設的電極總侵蝕量算法包括：
Sner＝Snout+Snvol-Snin
其中，Snout表示所述氧化錫的流出量，Snvol表示所述氧化錫的揮發量，Snin表示所述氧化錫的引入量。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述氧化鋯的流出量，獲取所述池壁磚的總侵蝕量包括：
根據所述氧化鋯的流出量，利用預設的池壁磚總侵蝕量算法，獲取所述池壁磚的總侵蝕量；
其中，所述預設的池壁磚總侵蝕量算法包括：
Zrer＝Zrout
其中，Zrout表示所述玻璃窯爐氧化鋯的流出量。
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