[發(fā)明專利]標(biāo)記形成方法和器件制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710282868.9
• 申請日: 2013-07-09
• 公開（公告）號: CN107219721B
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤原朋春
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社尼康
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F9/00;H01L21/308;H01L23/544
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍

本發(fā)明涉及標(biāo)記形成方法和器件制造方法。標(biāo)記形成方法包含：在具有照射區(qū)域和劃線區(qū)域的晶片的器件層上形成可附著包含嵌段共聚物的聚合物層的中性層的步驟；除去在劃線區(qū)域中形成的中性層的步驟；在劃線區(qū)域曝光標(biāo)記像，基于標(biāo)記像形成包含凹部的標(biāo)記的步驟；以及在晶片W的器件層上涂布包含嵌段共聚物的聚合物層的步驟。在利用嵌段共聚物的自組裝形成電路圖案時(shí)能夠并列地形成標(biāo)記。

本申請是申請日為2013年7月9日、中國發(fā)明申請?zhí)枮?01380046769.0、發(fā)明名稱為“標(biāo)記形成方法和器件制造方法”的中國發(fā)明專利申請(PCT國際申請?zhí)枮镻CT/JP2013/068751)的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及在襯底的標(biāo)記形成區(qū)域中形成標(biāo)記的標(biāo)記形成方法、和使用該標(biāo)記形成方法的器件制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體器件典型地包含形成在襯底上的多層電路圖案，為了在半導(dǎo)體器件的制造工序中使這些多層電路圖案相互正確地對位，在襯底的規(guī)定層的標(biāo)記形成區(qū)域中形成定位用或?qū)ξ挥玫亩ㄎ粯?biāo)記。在襯底為半導(dǎo)體晶片(以下也簡稱為晶片。)的情況下，定位標(biāo)記也被稱為晶片標(biāo)記。

半導(dǎo)體器件的以往的最微細(xì)的電路圖案使用干法或液浸光刻工序(其中使用例如曝光波長為193nm的干法或液浸法的曝光裝置)形成。可預(yù)想認(rèn)為，即使組合以往的光刻和最近開發(fā)的雙重圖形(double patterning)工藝，也難以形成例如比22nm節(jié)點(diǎn)(node)更微細(xì)的電路圖案。

對此，最近提出了如下方案：通過利用嵌段共聚物(Block Co-Polymer)的定向自組裝(Directed Self-Assembly)，在使用光刻工序形成的圖案間生成納米級的微細(xì)結(jié)構(gòu)(亞光刻結(jié)構(gòu))，形成比當(dāng)前的光刻技術(shù)的分辨率極限更微細(xì)的電路圖案(例如參照專利文獻(xiàn)1或日本特開2010-269304號公報(bào))。嵌段共聚物的經(jīng)圖案化的結(jié)構(gòu)也已作為微結(jié)構(gòu)域(微相分離結(jié)構(gòu)域)已知，或作為簡稱的結(jié)構(gòu)域(domain)已知。作為定向自組裝的方法，已知有制圖外延法(graphoepitaxy)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：美國專利申請公開第2010/0297847號說明書

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

通過利用嵌段共聚物的定向自組裝，從而可在襯底的某層上形成納米級的微細(xì)電路圖案。并且，有時(shí)也要求在該層中與電路圖案一起形成定位標(biāo)記。然而，當(dāng)僅用以往的方法形成定位標(biāo)記時(shí)，由于嵌段共聚物的自組裝而在定位標(biāo)記本身上也會形成不可預(yù)期的微細(xì)結(jié)構(gòu)，且在之后的工序中該定位標(biāo)記的檢測變得困難，于是襯底的層間重合精度有可能下降。

本發(fā)明的方式鑒于上述事實(shí)，其目的在于提供一種可在利用嵌段共聚物的自組裝形成電路圖案時(shí)使用的標(biāo)記形成技術(shù)。

用于解決問題的手段

本發(fā)明涉及：

(1)一種標(biāo)記形成方法，其特征在于，包含：

在襯底上形成中間層，所述中間層能夠附著包含嵌段共聚物的聚合物層；

除去所述所形成的中間層的一部分；

在被除去了所述中間層的區(qū)域中形成定位用標(biāo)記；以及

在所述中間層上涂布所述包含嵌段共聚物的聚合物層，形成器件圖案，

不經(jīng)由所述中間層而在所述襯底上形成所述定位用標(biāo)記，經(jīng)由所述中間層在所述襯底上形成所述聚合物層。

(2)根據(jù)(1)所述的標(biāo)記形成方法，其特征在于，包含：

使所述聚合物層形成自組裝區(qū)域；

選擇性地除去所述自組裝區(qū)域的一部分；以及