[發(fā)明專利]薄膜晶體管、顯示面板以及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710282278.6
• 申請(qǐng)日: 2017-04-26
• 公開（公告）號(hào): CN106997905B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 文亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京匯思誠(chéng)業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、顯示面板以及顯示裝置。本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管，包括：柵極；有源層，所述有源層包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域和第一溝道區(qū)域；所述柵極在所述有源層上的投影區(qū)域?yàn)樗龅谝粶系绤^(qū)域，所述第一溝道區(qū)域位于所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間；所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第一凸起，所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第二凸起，本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)了TFT器件在開啟狀態(tài)時(shí)，可以增大驅(qū)動(dòng)電流，而在關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，可以減小漏電流，提高了顯示裝置的性能的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術(shù)

在LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)工藝中，在制作好多晶硅硅島后，先進(jìn)行硼離子摻雜制作TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)器件的溝道，然后利用光刻、顯影技術(shù)制作光阻圖形遮住溝道，接下來利用磷離子制作TFT的源/漏極重?fù)诫s區(qū)，形成有源層。

在有源層制作完成后，制作的是層間絕緣層、柵極金屬層、源漏極金屬層等，如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT器件的結(jié)構(gòu)示意圖，柵極a在有源層b的投影為溝道區(qū)域，溝道區(qū)域的長(zhǎng)度L_a和溝道區(qū)域的寬度W_a決定了TFT器件的驅(qū)動(dòng)電流、漏電流的大小。

溝道區(qū)域的寬度與溝道區(qū)域的長(zhǎng)度的比值，與漏電流的大小成正比例關(guān)系，溝道區(qū)域的寬度與溝道區(qū)域的長(zhǎng)度的比值，與驅(qū)動(dòng)電流的大小成正比例關(guān)系，并且驅(qū)動(dòng)電流越大，漏電流越大，而漏電流的存在會(huì)消耗一定的電能，產(chǎn)生不必要的熱量，降低顯示裝置的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、顯示面板以及顯示裝置，可以增大驅(qū)動(dòng)電流的同時(shí)，減小漏電流，提高顯示裝置的性能。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，包括：

柵極；

有源層，所述有源層包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域和第一溝道區(qū)域；

所述柵極在所述有源層上的投影區(qū)域?yàn)樗龅谝粶系绤^(qū)域，所述第一溝道區(qū)域位于所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間；

所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第一凸起，所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第二凸起；或者，

所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第一凸起，所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述源極區(qū)域凸出的第三凸起；或者，

所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述源極區(qū)域凸出的第四凸起，所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述源極區(qū)域凸出的第三凸起。

如上所述的方面和任一可能的實(shí)現(xiàn)方式，進(jìn)一步提供一種實(shí)現(xiàn)方式，所述有源層還包括第二溝道區(qū)域，以及位于所述第一溝道區(qū)域與所述第二溝道區(qū)域之間的中間區(qū)域；

所述第二溝道區(qū)域靠近所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述漏極區(qū)域凸出的第五凸起，所述第二溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述漏極區(qū)域凸出的第六凸起；或者，

所述第二溝道區(qū)域靠近所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述漏極區(qū)域凸出的第五凸起，所述第二溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述漏極區(qū)域凸出的第七凸起；或者，

所述第二溝道區(qū)域靠近所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述漏極區(qū)域凸出的第八凸起，所述第二溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述漏極區(qū)域凸出的第七凸起。