[發(fā)明專利]薄膜晶體管、顯示面板以及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710282278.6
• 申請日: 2017-04-26
• 公開（公告）號: CN106997905B
• 公開（公告）日: 2019-10-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 文亮
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京匯思誠業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11444
• 代理人: 王剛;龔敏

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

柵極；

有源層，所述有源層包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域和第一溝道區(qū)域；

所述柵極在所述有源層上的投影區(qū)域?yàn)樗龅谝粶系绤^(qū)域，所述第一溝道區(qū)域位于所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間；

所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第一凸起，所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第二凸起；或者，

所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第一凸起，所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述源極區(qū)域凸出的第三凸起；或者，

所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述源極區(qū)域凸出的第四凸起，所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述源極區(qū)域凸出的第三凸起；

所述有源層還包括第二溝道區(qū)域，以及位于所述第一溝道區(qū)域與所述第二溝道區(qū)域之間的中間區(qū)域；

所述第二溝道區(qū)域靠近所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述漏極區(qū)域凸出的第五凸起，所述第二溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述漏極區(qū)域凸出的第六凸起；或者，

所述第二溝道區(qū)域靠近所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述漏極區(qū)域凸出的第五凸起，所述第二溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述漏極區(qū)域凸出的第七凸起；或者，

所述第二溝道區(qū)域靠近所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述漏極區(qū)域凸出的第八凸起，所述第二溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述漏極區(qū)域凸出的第七凸起。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一凸起與所述第二凸起的形狀與尺寸相同；所述第三凸起與所述第四凸起的形狀與尺寸相同；所述第五凸起與所述第六凸起的形狀與尺寸相同；所述第七凸起與所述第八凸起的形狀與尺寸相同。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第一凸起，所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第二凸起；或者，

所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述源極區(qū)域凸出的第四凸起，所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述源極區(qū)域凸出的第三凸起；

與所述第一溝道區(qū)域重疊的所述柵極的線寬處處相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，

所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括朝向所述源極區(qū)域凸出的第一凸起，所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括背離所述源極區(qū)域凸出的第三凸起；

所述第一溝道區(qū)域的溝道寬度由兩側(cè)向中間逐漸增大。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一凸起、所述第二凸起、所述第三凸起以及所述第四凸起均為”V”字形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第五凸起、所述第六凸起、所述第七凸起以及所述第八凸起均為”V”字形。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一凸起、所述第二凸起、所述第三凸起以及所述第四凸起均為弧形。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第五凸起、所述第六凸起、所述第七凸起以及所述第八凸起均為弧形。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第一溝道區(qū)域靠近所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括多個所述第一凸起或者多個所述第四凸起；所述第一溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述源極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括多個所述第二凸起或多個所述第三凸起。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二溝道區(qū)域靠近所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括多個所述第五凸起或者多個所述第八凸起；所述溝道區(qū)域遠(yuǎn)離所述漏極區(qū)域的一側(cè)邊緣包括多個所述第六凸起或者多個所述第七凸起。