[發(fā)明專(zhuān)利]用于制造半導(dǎo)體器件的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710281731.1
• 申請(qǐng)日: 2017-04-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107452759A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山口直
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 李輝,董典紅

1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有通過(guò)在其內(nèi)部離子注入簇而形成的吸除層以及形成在所述吸除層頂部的外延層；

(b)使所述半導(dǎo)體襯底經(jīng)受800℃或更高的第一熱處理；

(c)在步驟(b)之后，在所述半導(dǎo)體襯底的主表面處形成元件隔離膜和由所述元件隔離膜圍繞的有源區(qū)域；

(d)將第一導(dǎo)電類(lèi)型的第一雜質(zhì)注入到所述有源區(qū)域中的所述半導(dǎo)體襯底中；

(e)將不同于所述第一導(dǎo)電類(lèi)型的第二導(dǎo)電類(lèi)型的第二雜質(zhì)注入到所述有源區(qū)域中的所述半導(dǎo)體襯底中；和

(f)在步驟(d)和(e)之后，使所述半導(dǎo)體襯底經(jīng)受600℃或更高的第二熱處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中所述簇包括碳和氫。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在步驟(f)中，所述第二熱處理在900℃或更高溫度進(jìn)行，以激活所述第一雜質(zhì)和所述第二雜質(zhì)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在步驟(b)中，在所述吸除層中形成能夠吸附氫的氫吸附層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在步驟(f)中，用從所述氫吸附層解吸的氫來(lái)終止所述半導(dǎo)體襯底的懸鍵。

6.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有通過(guò)在其內(nèi)部離子注入簇而形成的吸除層以及形成在所述吸除層頂部的外延層；

(b)使所述半導(dǎo)體襯底經(jīng)受800℃或更高溫度的第一熱處理；

(c)在步驟(b)之后，在所述半導(dǎo)體襯底的主表面處形成元件隔離膜和由所述元件隔離膜圍繞的有源區(qū)域；

(d)在所述有源區(qū)域中經(jīng)由第一絕緣膜在所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面上方形成柵極電極；

(e)將雜質(zhì)注入到所述有源區(qū)域中的所述柵極電極的相對(duì)端部中；和

(f)在步驟(e)之后，使所述半導(dǎo)體襯底經(jīng)受600℃或更高溫度的第二熱處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中所述簇包括碳和氫。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在步驟(f)中，所述第二熱處理在900℃或更高溫度進(jìn)行，以激活所述雜質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在步驟(b)中，在所述吸除層中形成能夠吸附氫的氫吸附層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中在步驟(f)中，用從所述氫吸附層解吸的氫來(lái)終止所述半導(dǎo)體襯底的懸鍵。

11.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：

(a)提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有通過(guò)在其內(nèi)部離子注入簇而形成的吸除層以及形成在所述吸除層頂部的外延層；

(b)使所述半導(dǎo)體襯底經(jīng)受800℃或更高溫度的第一熱處理；

(c)在步驟(b)之后，在所述半導(dǎo)體襯底的主表面處形成元件隔離膜和由所述元件隔離膜圍繞的有源區(qū)域；

(d)在所述有源區(qū)域中經(jīng)由第一絕緣膜在所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面上方形成第一柵極電極；

(e)經(jīng)由所述有源區(qū)域中的第二絕緣膜在所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面上方形成第二柵極電極；

(f)將雜質(zhì)以插入在所述第一柵極電極和所述第二柵極電極之間的方式注入到所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面中；和

(g)在步驟(f)之后，使所述半導(dǎo)體襯底經(jīng)受600℃或更高溫度的第二熱處理。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中步驟(e)的所述第二絕緣膜的形成步驟包括以下步驟：

(e-1)在所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面處形成氧化硅膜；和

(e-2)在所述氧化硅膜上方形成氮化硅膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，

其中所述第二柵極電極形成在所述第一柵極電極的側(cè)壁上方。