[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710280348.4
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN106992214B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 王小元;楊妮;方琰;齊智堅;李少茹
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 11274 北京中博世達專利商標代理有限公司
• 代理人: 申健

本發明實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，涉及顯示技術領域，能夠解決現有的薄膜晶體管對像素電容的充電率較低導致像素電容充電不足而影響顯示器顯示品質的問題。包括：柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，位于源極和漏極之間的有源層用于形成主溝道。漏極包括第一漏極和至少一個第二漏極，第一漏極和源極之間的有源層、第二漏極和源極之間的有源層用于形成主溝道的不同部分，第一漏極為信號輸入電極，且位于第一漏極和第二漏極之間的有源層用于形成輔助溝道，其中，輔助溝道的溝道長度小于等于主溝道的溝道長度。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。

背景技術

在LCD(液晶顯示器)或OLED(有機發光二極管)顯示器中，每個像素點都是由集成在像素點后面的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)來驅動的，從而可以做到高速度、高亮度、高對比度的顯示畫面。

TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的功能是一個連接數據線和像素的開關，在柵極的控制下，漏極的數據線通過薄膜晶體管向每一個源極對應的像素電容實施充放電。開態時，漏極與源極之間接通，開態電流通過源極和漏極之間的有源層形成的溝道向像素電容充電，關態時，漏極與源極之間斷開，停止向像素電容充電。

為了保證顯示器的高分辨率和顯示圖像的變化流暢，薄膜晶體管的開態充電時間較短，短時間內像素電容的充電不足是影響顯示器顯示品質的一大難題。為了提高像素電容的充電率，通常可以通過增大薄膜晶體管的W/L值(寬長比值)來實現，以U型結構的薄膜晶體管為例，如圖1所示，U型結構的薄膜晶體管的漏極10包括有兩個條形臂102，以及將兩個條形臂102的端部相連接的連接臂101，位于源極20和漏極10之間的有源層30形成溝道40，溝道40也為U型結構，延長條形臂102的自由端的長度，能夠通過增大W提高溝道寬長比W/L，但是延長條形臂102的自由端長度會導致像素開口率降低，從而影響像素透過率，增加背光功耗，而且，薄膜晶體管的漏極10與柵極50的投影重疊部分會在關態時產生寄生電容，投影重疊部分越大，則產生的寄生電容越大，對于逐行掃描開啟的信號線，在信號向開態的薄膜晶體管傳輸時，在同一信號線上其他關態薄膜晶體管上產生的寄生電容會增大該開態薄膜晶體管上對源極20對應的像素電容60充電時的負載，從而反過來又降低了像素電容60的充電率。另一方面，還可以通過減小溝道40的溝道長度L，從而提高溝道寬長比W/L，但是受到技術條件限制，溝道長度L所能夠減小的范圍有限，不能小于加工精度的最小值，否則無法實現。

發明內容

本發明實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，能夠解決現有的薄膜晶體管對像素電容的充電率較低導致像素電容充電不足而影響顯示器顯示品質的問題。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

本發明實施例的一方面，提供一種薄膜晶體管，包括：柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，位于源極和漏極之間的有源層用于形成主溝道。漏極包括第一漏極和至少一個第二漏極，第一漏極和源極之間的有源層、第二漏極和源極之間的有源層用于形成主溝道的不同部分，第一漏極為信號輸入電極，且位于第一漏極和第二漏極之間的有源層用于形成輔助溝道，其中，輔助溝道的溝道長度小于等于主溝道的溝道長度。

優選的，漏極包括多個第二漏極，第一漏極與每一個第二漏極之間均分別形成有輔助溝道。

優選的，輔助溝道的溝道長度在2μm-5μm之間。

進一步的，第二漏極靠近主溝道一側的寬度大于等于背離主溝道一側的寬度。

優選的，輔助溝道與主溝道之間的夾角角度在30°-60°之間或90°。