[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201710280348.4
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN106992214B
• 公開（公告）日: 2019-12-31
• 發明（設計）人: 王小元;楊妮;方琰;齊智堅;李少茹
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;重慶京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 11274 北京中博世達專利商標代理有限公司
• 代理人: 申健

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，位于所述源極和所述漏極之間的有源層用于形成主溝道；

所述漏極包括第一漏極和至少一個第二漏極，所述第一漏極和所述源極之間的有源層、所述第二漏極和所述源極之間的有源層用于形成所述主溝道的不同部分，所述第一漏極為信號輸入電極，且位于所述第一漏極和所述第二漏極之間的有源層用于形成輔助溝道，其中，所述輔助溝道的溝道長度小于等于所述主溝道的溝道長度，所述輔助溝道將第一漏極與第二漏極之間隔開；第二漏極不與信號線連接。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述漏極包括多個第二漏極，所述第一漏極與每一個所述第二漏極之間的有源層均分別用于形成輔助溝道。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述輔助溝道的溝道長度在2μm-5μm之間。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二漏極靠近所述主溝道一側的寬度大于等于背離所述主溝道一側的寬度。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述輔助溝道與所述主溝道之間的夾角角度在30°-60°之間或90°。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，當所述主溝道為U型結構，所述U型結構包括彎折部以及分別與所述彎折部的兩端連接的延伸部，所述漏極包括與所述延伸部相對應的條形臂以及與所述彎折部對應的連接臂，所述連接臂分別連接所述條形臂的兩端，所述輔助溝道形成于所述漏極的連接臂以外的部分。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述輔助溝道形成于所述條形臂與所述連接臂相連接的位置。

8.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板，以及設置在襯底基板上的多個如權利要求1-7任一項所述的薄膜晶體管。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求8所述的陣列基板。

10.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：在襯底基板上形成包括有柵極的第一導電層、柵絕緣層、有源層、包括源極和漏極的第二導電層；其中，所述有源層用于形成所述源極和所述漏極之間的主溝道，所述漏極包括第一漏極和至少一個第二漏極，所述第一漏極和所述源極之間的有源層、所述第二漏極和所述源極之間的有源層用于形成所述主溝道的不同部分，所述第一漏極為信號輸入電極，且位于所述第一漏極和所述第二漏極之間的有源層用于形成輔助溝道，所述輔助溝道的溝道長度小于等于所述主溝道的溝道長度；所述輔助溝道將第一漏極與第二漏極之間隔開；第二漏極不與信號線連接。