[發(fā)明專利]半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物和半導體裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710280186.4 | 申請日： | 2017-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN107400334A | 公開（公告）日： | 2017-11-28 |
| 發(fā)明（設計）人： | 田中祐介;松永隆秀 | 申請（專利權）人： | 住友電木株式會社 |
| 主分類號： | C08L63/00 | 分類號： | C08L63/00;C08L23/30;C08L91/06;C08L83/12;C08L9/02;C08K13/06;C08K7/18;C08K9/06;C08K3/22;C08K5/544;C08K5/548;C08K3/04;C08K3/08;C |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權代理有限公司11322 | 代理人： | 龍淳,池兵 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 密封 環(huán)氧樹脂 組合 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物，其用于對半導體芯片或?qū)⑺霭雽w芯片密封而形成的半導體封裝件和凸起高度為100μm以上的焊料凸起進行密封，所述半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物的特征在于，含有：
環(huán)氧樹脂；
酚醛樹脂固化劑；和
填料，
相對于該半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物的總量，所述填料的含量為75質(zhì)量％以上93質(zhì)量％以下，
在260℃測定的該半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物的固化物的熱時彈性模量為60MPa以上500MPa以下。
2.如權利要求1所述的半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于：
25℃以上玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg以下的溫度區(qū)域中的該半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物的固化物的線膨脹系數(shù)為20ppm/℃以下。
3.如權利要求1或2所述的半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于：
該半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物在175℃的熔融粘度為2Pa·S以上10Pa·S以下。
4.如權利要求1～3中任一項所述的半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于：
在將源自所述環(huán)氧樹脂的環(huán)氧基數(shù)設為EP、將源自所述酚醛樹脂固化劑的酚性羥基數(shù)設為OH時，EP/OH的值為1以上2以下。
5.如權利要求1～4中任一項所述的半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于：
相對于該半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物的總量，所述環(huán)氧樹脂的含量為3質(zhì)量％以上30質(zhì)量％以下。
6.如權利要求1～5中任一項所述的半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物，其特征在于：
該半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物的形態(tài)為粉粒狀、顆粒狀、錠狀或片狀。
7.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：
準備權利要求1～6中任一項所述的半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物的工序；和
使用所述半導體密封用環(huán)氧樹脂組合物，對半導體芯片或?qū)⑺霭雽w芯片密封而形成的半導體封裝件和凸起高度為100μm以上的焊料凸起進行密封的工序。
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