[發明專利]晶體管及其制作方法

有效

• 申請號: 201710279087.4
• 申請日: 2017-04-25
• 公開（公告）號: CN108735804B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 張海洋;劉少雄
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L21/28;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種晶體管，其特征在于，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底上的堆疊結構，所述堆疊結構包括交錯堆疊的第一堆疊層和第二堆疊層，所述第一堆疊層突出所述第二堆疊層以在所述堆疊結構的外側形成開口，所述第一堆疊層為硅材質，所述第二堆疊層為硅鍺材質；

位于所述開口中的薄膜側墻，所述薄膜側墻位于所述第二堆疊層的側壁和第一堆疊層的表面，所述薄膜側墻的介電常數大于等于20；以及

位于所述堆疊結構上的柵極結構和位于所述堆疊結構兩側的漏源外延結構。

2.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述薄膜側墻的厚度為。

3.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，還包括填充在所述開口內的被所述薄膜側墻包圍的填充側墻。

4.如權利要求3所述的晶體管，其特征在于，所述填充側墻為氧化硅材質或氮化硅材質。

5.如權利要求1所述的晶體管，其特征在于，所述第一堆疊層突出所述第二堆疊層2nm-20nm。

6.一種晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成堆疊結構和所述堆疊結構上的柵極結構，所述堆疊結構包括交錯堆疊的第一堆疊層和第二堆疊層，所述第一堆疊層突出所述第二堆疊層以在所述堆疊結構的外側形成開口，所述第一堆疊層為硅材質，所述第二堆疊層為硅鍺材質；

在所述開口內形成薄膜側墻，所述薄膜側墻位于所述第二堆疊層的側壁和第一堆疊層的表面，所述薄膜側墻的介電常數大于等于20；以及

在所述堆疊結構兩側形成漏源外延結構。

7.如權利要求6所述的晶體管的制作方法，其特征在于，在所述半導體襯底上形成堆疊結構和所述堆疊結構上的柵極結構，所述堆疊結構包括交錯堆疊的第一堆疊層和第二堆疊層，所述第一堆疊層突出所述第二堆疊層以在所述堆疊結構的外側形成開口的步驟包括：

在所述半導體襯底上形成交錯堆疊的第一堆疊層和第二堆疊層；

在所述堆疊結構上形成柵極結構；以及

刻蝕所述第二堆疊層，使得所述第一堆疊層突出所述第二堆疊層以在所述堆疊結構的外側形成開口。

8.如權利要求6所述的晶體管的制作方法，其特征在于，在所述開口內形成薄膜側墻，所述薄膜側墻位于所述第二堆疊層的側壁和第一堆疊層的表面的步驟包括：

沉積薄膜材料層，覆蓋所述半導體襯底、所述柵極結構及所述堆疊結構；

刻蝕去除部分薄膜材料層，保留位于所述第二堆疊層側壁和第一堆疊層表面之間的部分薄膜材料層，作為所述薄膜側墻。

9.如權利要求8所述的晶體管的制作方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除部分薄膜材料層。

10.如權利要求8所述的晶體管的制作方法，其特征在于，在沉積薄膜材料層，覆蓋所述半導體襯底、所述柵極結構及所述堆疊結構之后；在刻蝕去除部分薄膜材料層之前，還包括：

沉積填充材料層覆蓋所述薄膜材料層，所述填充材料層填充滿所述開口；

刻蝕去除部分填充材料層，保留位于所述開口中的部分填充材料層，作為填充側墻，所述填充側墻被所述薄膜材料層包圍。

11.如權利要求10所述的晶體管的制作方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除部分填充材料層。