[發明專利]用于高壓ESD保護的高維持電流LDMOS結構

有效

• 申請號: 201710272821.4
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN106876473B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 喬明;齊釗;楊文;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 51232 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 敖歡;葛啟函<國際申請>=<國際公布>=

1.一種用于高壓ESD保護的高維持電流LDMOS結構，其特征在于：包括P型襯底(1)、位于P型襯底表面的NWELL區(10)、位于NWELL區內部的NPLUS接觸區(11)、與NWELL區(10)右側相切的P型襯底表面的薄柵氧化層(2)、位于薄柵氧化層(2)上方的多晶硅柵電極(3)、與薄柵氧化層(2)右側相切的P襯底表面注入的NPLUS源極接觸區(12)、與NPLUS源極接觸區(12)右側相切的PPLUS襯底(20)、位于NWELL區(10)內部NPLUS接觸區(11)右側的NTOP層(13)，NTOP層(13)左邊緣與NPLUS接觸區(11)右邊緣的距離為D1，NTOP層(13)右邊緣與NWELL區(10)右邊緣的間距為D2，通過調整D1來調節器件的維持電流，通過調節D2來調節器件的觸發電壓，NPLUS接觸區(11)與金屬相連形成漏級金屬；多晶硅柵電極(3)、NPLUS源極接觸區(12)、PPLUS襯底(20)用金屬相連構成器件源極，NPLUS接觸區(11)構成器件的陽極接觸，NPLUS源極接觸區(12)、PPLUS襯底(20)、多晶硅柵電極(3)短接構成器件的陰極接觸。

2.根據權利要求1所述的用于高壓ESD保護的高維持電流LDMOS結構，其特征在于：所述NPLUS接觸區(11)替換為第一PLUS注入區(21)，所述NPLUS源極接觸區(12)替換為第二PLUS注入區(22)，所述NTOP層(13)替換為PTOP層(23)，所述PPLUS襯底(20)替換為襯底接觸NPLUS區(25)，所述NWELL區(10)替換為PWELL區(24)，所述P型襯底(1)替換為N型襯底(4)，所述第一PLUS注入區(21)構成器件陰極接觸，第二PLUS注入區(22)、襯底接觸NPLUS區(25)、多晶硅柵電極(3)短接構成器件陽極接觸。

3.根據權利要求1所述的用于高壓ESD保護的高維持電流LDMOS結構，其特征在于：調整D1與D2均是通過調整工藝版圖中相應位置的間距來實現，D1越小導致維持電流上升，D2越小導致觸發電壓越低。