[發(fā)明專利]三維半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710272619.1
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN107452746B
• 公開（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃盛珉;許星會(huì)
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號: H10B41/20
• 分類號: H10B41/20;H10B43/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種三維半導(dǎo)體器件，包括：

電極結(jié)構(gòu)，包括垂直地層疊在基板上的多個(gè)電極，

其中所述多個(gè)電極的每個(gè)包括：

電極部，平行于所述基板的頂表面并在第一方向上延伸；

墊部分，在相對于所述基板的所述頂表面的傾斜方向上從所述電極部延伸；和

突起，在平行于所述傾斜方向的方向上從所述墊部分的一部分突出并在垂直于所述第一方向的第二方向上具有比所述墊部分的寬度窄的寬度，并且

其中所述墊部分和所述突起組成單個(gè)層，

其中所述多個(gè)電極的突起在所述第二方向上設(shè)置在從所述電極結(jié)構(gòu)的一個(gè)側(cè)壁起的不同距離處。

2.如權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，

其中，當(dāng)從平面圖看時(shí)，所述多個(gè)電極的所述突起布置在所述第一方向的對角線方向上。

3.如權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，

其中所述多個(gè)電極的所述突起的每個(gè)的頂表面設(shè)置在從所述基板起的彼此相同的高度處。

4.如權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，

其中所述多個(gè)電極的每個(gè)的所述墊部分包括：

豎直墊部分，在平行于所述傾斜方向的方向上延伸并具有比所述電極部的寬度小的寬度；和

水平墊部分，在所述第二方向上從所述豎直墊部分的一部分延伸，并且

其中所述第二方向平行于所述基板的所述頂表面。

5.如權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，

其中所述基板包括單元陣列區(qū)和連接區(qū)，并且

其中所述多個(gè)電極的每個(gè)的所述電極部包括：

子電極部，在所述單元陣列區(qū)上在所述第一方向上延伸并在所述第二方向上彼此橫向地間隔開；和

電極連接部分，在所述連接區(qū)上將所述子電極部水平地連接到彼此。

6.如權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，其中每個(gè)所述電極還包括從所述墊部分突出并在所述第二方向上與所述突起間隔開的虛設(shè)突起。

7.如權(quán)利要求6所述的三維半導(dǎo)體器件，其中所述多個(gè)電極的所述虛設(shè)突起沿著所述第一方向布置。

8.如權(quán)利要求6所述的三維半導(dǎo)體器件，其中所述虛設(shè)突起在所述第二方向上的寬度彼此相等。

9.如權(quán)利要求6所述的三維半導(dǎo)體器件，其中所述虛設(shè)突起的頂表面位于與所述突起的頂表面相同的水平面處。

10.如權(quán)利要求6所述的三維半導(dǎo)體器件，其中所述虛設(shè)突起在所述第二方向上具有與所述墊部分的寬度不同的寬度。

11.一種三維半導(dǎo)體器件，包括：

電極結(jié)構(gòu)，包括垂直地層疊在基板上的多個(gè)電極，

其中所述多個(gè)電極的每個(gè)包括：

電極部，平行于所述基板的頂表面并在第一方向上延伸；

豎直墊部分，在相對于所述基板的所述頂表面的傾斜方向上從所述電極部的一部分延伸；

突起，從所述豎直墊部分的第一部分垂直地突出，

其中所述多個(gè)電極中的直接相鄰的電極的突起的頂表面設(shè)置在從所述基板起的彼此相同的高度處，

其中所述突起在所述第一方向上具有與所述豎直墊部分相同的寬度，

其中所述豎直墊部分和所述突起組成單個(gè)層，

其中所述多個(gè)電極的突起在垂直于所述第一方向的第二方向上設(shè)置在從所述電極結(jié)構(gòu)的一個(gè)側(cè)壁起的不同距離處。

12.如權(quán)利要求11所述的三維半導(dǎo)體器件，

其中，當(dāng)從平面圖看時(shí)，所述多個(gè)電極的所述突起布置在所述第一方向和所述第二方向的對角線方向上。

13.如權(quán)利要求11所述的三維半導(dǎo)體器件，其中所述豎直墊部分在所述第二方向上具有第一寬度，

所述突起在所述第二方向上具有小于所述第一寬度的第二寬度，并且

所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板的所述頂表面。