[發明專利]二氧化硅納米腔陣列電極作為離子通道的應用在審
| 申請號： | 201710272486.8 | 申請日： | 2017-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN107195521A | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發明（設計）人： | 盧小泉;姬玲霞;何靜;王晶;陳海詠;姚敏;汪天勝;魏紅娟;陜多亮 | 申請（專利權）人： | 西北師范大學 |
| 主分類號： | H01J37/26 | 分類號： | H01J37/26;H01J37/04;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知識產權代理有限公司11249 | 代理人： | 鐘國 |
| 地址： | 730070 甘肅*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二氧化硅 納米 陣列 電極 作為 離子 通道 應用 | ||
【權利要求書】：
1.二氧化硅納米腔陣列電極作為離子通道的應用。
2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于：所述二氧化硅納米腔陣列電極由ITO導電玻璃以及孔道垂直于ITO導電玻璃表面的二氧化硅納米腔陣列組成。
3.根據權利要求1所述的應用，其特征在于：所述二氧化硅納米腔陣列電極作為離子通道在檢測液/液界面離子轉移中的應用。
4.根據權利要求1所述的應用，其特征在于：所述離子通道為鉀離子和/或鈉離子的離子通道。
5.根據權利要求4所述的應用，其特征在于：所述離子通道為受pH控制的離子通道。
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