[發明專利]畫素結構

有效

• 申請號: 201710272129.1
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN108735762B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 劉軒辰;張崇霖
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種畫素結構，包括一第一基板，一薄膜晶體管，一第二絕緣層，一第一透明導電層以及一第二基板。該薄膜晶體管包括一柵極電極，一半導體主動層，一第一絕緣層以及一電極層。該柵極電極形成于該基板上。該半導體主動層形成于該柵極電極上。該第一絕緣層位于該半導體主動層與該柵極電極之間。該電極層包括一源極電極以及一漏極電極，該源極電極與該漏極電極均覆蓋于該半導體主動層的部份區域。該第二絕緣層覆蓋于該薄膜晶體管。該第一透明導電層，形成于該第二絕緣層上。其中該第一透明導電層沿該半導體主動層的邊緣形成有一開口。本發明畫素結構可以降低透明導電層與薄膜晶體管之間的感應電流，進而減少薄膜晶體管在關閉時的漏電流。

技術領域

本發明系相關于一種畫素結構，尤指一種可降低感應電流的畫素結構。

背景技術

目前市場對于液晶顯示面板(liquid crystal display panel)皆朝向高對比度、高亮度、高色彩飽和度、快速反應以及廣視角等方向發展。為了在有限的空間中為了取得最大開口率的設計，畫素結構中的氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)導電膜，經常采用整片覆蓋的方式作為共同電極的連接方式。然而，如此一來畫素結構中的薄膜晶體管(Thin-film transistor,TFT)與位于薄膜晶體管上方的氧化銦钖導電膜之間將會產生感應電流(induced current)，該感應電流在薄膜晶體管關閉時仍然會產生，使得薄膜晶體管在關閉時有漏電流，進而造成顯示面板亮度不均勻以及cross-talk等問題。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：為了彌補現有技術的不足，提供一種畫素結構，包括一第一基板，一薄膜晶體管，一第二絕緣層，一第一透明導電層以及一第二基板。該薄膜晶體管包括一柵極電極，一半導體主動層，一第一絕緣層以及一電極層。該柵極電極形成于該基板上。該半導體主動層形成于該柵極電極上。該第一絕緣層位于該半導體主動層與該柵極電極之間。該電極層包括一源極電極以及一漏極電極，該源極電極與該漏極電極均覆蓋該半導體主動層之部份區域。該第二絕緣層覆蓋該薄膜晶體管且該第二絕緣層的厚度小于11000埃米該第一透明導電層，形成于該第二絕緣層上。該第二基板設置于該第一基板上方。其中該第一透明導電層沿該半導體主動層的邊緣形成有一開口，且該開口的形狀對應該半導體主動層的邊緣輪廓。

本發明還提供一種畫素結構，包括一第一基板，一薄膜晶體管，一第二絕緣層，一第一透明導電層以及一第二基板。該薄膜晶體管包括一柵極電極，一半導體主動層，一第一絕緣層以及一電極層。該柵極電極形成于該基板上。該半導體主動層形成于該柵極電極上。該第一絕緣層位于該半導體主動層與該柵極電極之間。該電極層包括一源極電極以及一漏極電極，該源極電極與該漏極電極均覆蓋該半導體主動層之部份區域。該第二絕緣層覆蓋該薄膜晶體管。該第一透明導電層，形成于該絕緣層上。該第二基板設置于該第一基板上方。其中該第一透明導電層沿該半導體主動層未被該電極層覆蓋的區域的邊緣形成有一開口。

附圖說明

圖1是本發明第一畫素結構的第一實施例的剖面圖。

圖2是圖1畫素結構的俯視圖。

圖3是本發明第一畫素結構的第二實施例的剖面圖。

圖4是圖3畫素結構的俯視圖。

圖5是本發明第一畫素結構的第三實施例的剖面圖。

圖6是圖5畫素結構的俯視圖。

圖7是本發明第一畫素結構的第四實施例的剖面圖。

圖8是圖7畫素結構的俯視圖。

圖9是本發明第二畫素結構的剖面圖。

圖10是本發明顯示區及周邊區的示意圖。

圖11是本發明第三畫素結構的剖面圖。

圖12是本發明第四畫素結構的剖面圖。