[發明專利]畫素結構

有效

• 申請號: 201710272129.1
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN108735762B
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 劉軒辰;張崇霖
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種畫素結構，其特征在于，包括：

一第一基板；

一薄膜晶體管，形成于該第一基板上，該薄膜晶體管包括：

一柵極電極，形成于該第一基板上；

一半導體主動層，形成于該柵極電極上；

一第一絕緣層，位于該半導體主動層與該柵極電極之間；以及

一電極層，包括：

一源極電極，覆蓋該半導體主動層的部份區域；以及

一漏極電極，覆蓋該半導體主動層的部份區域；

一第二絕緣層，覆蓋并直接接觸該薄膜晶體管，且該第二絕緣層的厚度小于

一第一透明導電層，形成于該第二絕緣層上且直接接觸該第二絕緣層，且該第一透明導電層是一共同電極；

一第二基板，設置于該第一基板上方；以及

一液晶層，形成于該第一基板及該第二基板之間；

其中該第一透明導電層沿該半導體主動層的邊緣形成有一開口，且該開口的形狀對應該半導體主動層的邊緣輪廓，該半導體主動層為氧化銦鎵鋅層，且該第二絕緣層靠近該半導體主動層的位置的氧含量高于該第二絕緣層遠離該半導體主動層的位置的氧含量。

2.如權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該第一透明導電層于該第一基板的正投影和該半導體主動層于該第一基板的正投影不重迭。

3.如權利要求2所述的畫素結構，其特征在于，該第一透明導電層和該半導體主動層于該第一基板的正投影邊緣之間的距離為0至5微米。

4.如權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該第一透明導電層于該第一基板的正投影和該半導體主動層于該第一基板的正投影局部重迭。

5.如權利要求4所述的畫素結構，其特征在于，該第一透明導電層于該第一基板的正投影和該半導體主動層于該第一基板的正投影重迭0至1.5微米。

6.如權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，還包括一第二透明導電層形成于該第一絕緣層上。

7.如權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，還包括一第三絕緣層形成于該第一透明導電層上，且一第二透明導電層形成于該第三絕緣層與該液晶層之間。

8.如權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，還包括一第二透明導電層形成于該第二基板與該液晶層之間。

9.如權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該第一絕緣層靠近該半導體主動層的位置包含硅酸鹽。

10.如權利要求1所述的畫素結構，其特征在于，該第一基板包括一顯示區及一周邊區，其中該周邊區包括一換線結構，該換線結構包括一第一走線、一第二走線、一第三走線、一連接電極以及一塊狀結構，該第一走線形成于該第一基板上，該第二走線形成于該第一絕緣層上，且該第一絕緣層形成有一穿孔使該第二走線可藉由該穿孔電連接該第一走線，該塊狀結構形成于該第一絕緣層上，該第三走線形成于該塊狀結構上，該連接電極形成于該第二絕緣層上，且該第二絕緣層形成有二穿孔使該連接電極可分別藉由該二穿孔電連接該第二走線以及該第三走線。