[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710270743.4
• 申請(qǐng)日: 2017-04-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108321136A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳自勝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/482
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，包括晶圓、多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊以及第一封裝膠體。晶圓具有相對(duì)的第一表面以及第二表面。晶圓包括兩個(gè)半導(dǎo)體元件層。此兩個(gè)半導(dǎo)體元件層分別從第一表面以及第二表面延伸至晶圓內(nèi)。第一表面與第二表面上分別設(shè)置有包括多個(gè)接墊的兩個(gè)圖案化線路層。此兩個(gè)半導(dǎo)體元件層分別與此兩個(gè)圖案化線路層電性連接。多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊分別設(shè)置于第一表面的多個(gè)接墊上。第一封裝膠體設(shè)置于第一表面，并暴露多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊的多個(gè)頂面。另，一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法也被提出。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤其涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

晶圓級(jí)芯片尺寸封裝(Wafer Level Chip Scale Package,WLCSP)技術(shù)指的是晶圓在生產(chǎn)完成后直接在整片晶圓上進(jìn)行全部或大部分的封裝以及測(cè)試程序后，再進(jìn)行切割(Singulation)以形成單顆元件。由于晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)具有較小封裝尺寸、較佳電性表現(xiàn)、較容易的組裝處理以及較低的生產(chǎn)成本等優(yōu)勢(shì)，因而吸引晶圓制造業(yè)者以及封測(cè)代工業(yè)者大舉投入此技術(shù)中。

在現(xiàn)有的晶圓級(jí)芯片尺寸封裝技術(shù)中，晶圓的單面上通常會(huì)植球以使晶圓的電性信號(hào)傳遞至外部的印刷電路板(Printed Circuit Board,PCB)，然而，這樣的方式卻無(wú)法滿足高接腳數(shù)(I/O)的需求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其具有較高的接腳數(shù)。

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，用以制造上述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)包括晶圓、多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊以及第一封裝膠體。晶圓具有相對(duì)的第一表面以及第二表面。晶圓包括第一半導(dǎo)體元件層以及第二半導(dǎo)體元件層。第一半導(dǎo)體元件層以及第二半導(dǎo)體元件層分別從第一表面以及第二表面延伸至晶圓內(nèi)。第一表面與第二表面上分別設(shè)置有第一圖案化線路層及第二圖案化線路層。第一圖案化線路層與第二圖案化線路層分別包括多個(gè)第一接墊及多個(gè)第二接墊。第一半導(dǎo)體元件層與第二半導(dǎo)體元件層分別與第一圖案化線路層以及第二圖案化線路層電性連接。多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊分別設(shè)置于多個(gè)第一接墊上。第一封裝膠體設(shè)置于第一表面，并暴露多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊的多個(gè)頂面。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的晶圓還包括多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊，分別設(shè)置于多個(gè)第二接墊上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的晶圓還包括第二封裝膠體。第二封裝膠體設(shè)置于第二表面，且暴露多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊的多個(gè)頂面。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊的多個(gè)頂面設(shè)置有焊球。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊的多個(gè)頂面設(shè)置有焊球。

本發(fā)明的一實(shí)施例提出一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟。提供晶圓。晶圓具有相對(duì)的第一表面以及背面。晶圓包括由第一表面延伸至晶圓內(nèi)的第一半導(dǎo)體元件層。第一表面設(shè)置有第一圖案化線路層。第一圖案化線路層包括多個(gè)第一接墊。第一半導(dǎo)體元件層與第一圖案化線路層電性連接。形成多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊分別于多個(gè)第一接墊上。形成第一封裝膠體于第一表面上，且第一封裝膠體覆蓋多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊。對(duì)晶圓的背面進(jìn)行薄化處理，以使晶圓暴露出第二表面。形成第二半導(dǎo)體元件層于第二表面，第二半導(dǎo)體元件層由第二表面延伸至晶圓內(nèi)。形成第二圖案化線路層于第二表面上，第二圖案化線路層包括多個(gè)第二接墊。第二半導(dǎo)體元件層與第二圖案化線路層電性連接。移除至少部分第一封裝膠體以暴露出多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊的多個(gè)頂面。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的制作方法還包括形成多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊分別于多個(gè)第二接墊上。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的制作方法還包括形成第二封裝膠體于第二表面上。第二封裝膠體覆蓋多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊。移除至少部分第二封裝膠體以暴露出第二導(dǎo)電凸塊的多個(gè)頂面。