[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710270743.4
• 申請日: 2017-04-24
• 公開（公告）號: CN108321136A
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳自勝
• 申請（專利權(quán)）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

晶圓，具有相對的一第一表面以及一第二表面，所述晶圓包括一第一半導(dǎo)體元件層以及一第二半導(dǎo)體元件層，所述第一半導(dǎo)體元件層以及所述第二半導(dǎo)體元件層分別從所述第一表面以及所述第二表面延伸至所述晶圓內(nèi)，所述第一表面與所述第二表面上分別設(shè)置有一第一圖案化線路層及一第二圖案化線路層，所述第一圖案化線路層與所述第二圖案化線路層分別包括多個第一接墊及多個第二接墊，其中所述第一半導(dǎo)體元件層與所述第二半導(dǎo)體元件層分別與所述第一圖案化線路層以及所述第二圖案化線路層電性連接；

多個第一導(dǎo)電凸塊，分別設(shè)置于所述第一表面的所述多個第一接墊上；以及

第一封裝膠體，設(shè)置于所述第一表面，并暴露所述多個第一導(dǎo)電凸塊的多個頂面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶圓還包括多個第二導(dǎo)電凸塊，分別設(shè)置于所述第二表面的所述多個第二接墊上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶圓還包括一第二封裝膠體，設(shè)置于所述第二表面，所述第二封裝膠體暴露所述多個第二導(dǎo)電凸塊的多個頂面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個第二導(dǎo)電凸塊的所述多個頂面設(shè)置有焊球。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個第一導(dǎo)電凸塊的所述多個頂面設(shè)置有焊球。

6.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供一晶圓，所述晶圓具有相對的一第一表面以及一背面，所述晶圓包括由所述第一表面延伸至所述晶圓內(nèi)的一第一半導(dǎo)體元件層，第一表面設(shè)置有一第一圖案化線路層，所述第一圖案化線路層包括多個第一接墊，其中所述第一半導(dǎo)體元件層與所述第一圖案化線路層電性連接；

形成多個第一導(dǎo)電凸塊分別于所述多個第一接墊上；

形成一第一封裝膠體于所述第一表面上，且所述第一封裝膠體覆蓋所述多個第一導(dǎo)電凸塊；

對所述晶圓的所述背面進(jìn)行一薄化處理，以使所述晶圓暴露出一第二表面；

形成一第二半導(dǎo)體元件層于所述第二表面，其中所述第二半導(dǎo)體元件層由所述第二表面延伸至所述晶圓內(nèi)；

形成一第二圖案化線路層于所述第二表面上，所述第二圖案化線路層包括多個第二接墊，其中所述第二半導(dǎo)體元件層與所述第二圖案化線路層電性連接；以及

移除至少部分所述第一封裝膠體以暴露出所述多個第一導(dǎo)電凸塊的多個頂面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括形成多個第二導(dǎo)電凸塊分別于所述第二表面的所述多個第二接墊上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括形成一第二封裝膠體于所述第二表面上，所述第二封裝膠體覆蓋所述多個第二導(dǎo)電凸塊，以及移除至少部分所述第二封裝膠體以暴露出所述多個第二導(dǎo)電凸塊的多個頂面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括形成焊球于所述多個第二導(dǎo)電凸塊的所述多個頂面上。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，還包括形成焊球于所述多個第一導(dǎo)電凸塊的所述多個頂面上。